Transistor Characterization

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我们的报告解释了技术实现在电子电路、软件和制造过程中的应用。它们被用来获取有关技术创新的情报和发现使用的证据,向技术、法律和专利专业人员证明专利价值。

我们的晶体管和特性分析允许您:

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  • 了解过程,看到表现,发现趋势
  • IOFF与离子、IOFF与ID、LIN的通用曲线;每个通用曲线数据点的传输和输出特性

Transistor characterization

Transistor characterization

TechInsights的晶体管特性报告分析了逻辑NMOS和PMOS晶体管的直流电特性

该报告包括在-20、25°C和80°C下测量的关键性能基准的图表和表格测量。还提供25°C单温度报告。

Specific DC Analysis Benchmarks of the NMOS and PMOS transistors include:

  • Linear (VT,LIN) and saturated (VT,SAT)threshold voltages
  • 驱动电流(ID,SAT)
  • 关断电流(IOFF)和栅极泄漏电流(IG)
  • 次阈值摆动(S)
  • Transconductance (gm)
  • 击穿电压(VPT)
  • 过程增益系数(k)
  • IDS与VGS图
  • IDS与VDS图

Supporting data includes:

  • 包装照片和包装X射线
  • 模具照片和模具标记
  • NMOS和PMOS晶体管的SEM形貌图
  • 显示NMOS和PMOS栅极长度的TEM横截面图像

技巧网络研讨会:分析NAND闪存和SSD设备的技术- Internal Probing, Waveform Analysis, and More

此演示文稿介绍了NAND​​ Flash和SSD设备中的一些创新领域,并概述了我们申请分析这些创新的各种测试方法。


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