网络研讨会:ALD /市售逻辑器件ALE过程

在市售逻辑器件ALD / ALE过程

2018锯引入新一代的逻辑产品设有由英特尔与它们为10nm代微处理器,随后TSMC和三星朝向年底与其7nm的节点设备的标题的finFET晶体管。

在原子层沉积/原子层本演示蚀刻(ALD / ALE)过程检查一些我们这些逻辑技术的进化过程中已经看到,不同结构的,特别是最新的7nm至10nm的器件。我们还讨论已通过反向工程观察ALD / ALE技术的几个历史应用,以及我们强调ALD / ALE工艺先进逻辑器件的重要性。乐动篮球快讯在许多情况下,该技术不能拥有先进的无ALD / ALE的实现。

拉杰什克里希纳穆尔蒂

拉杰什克里希纳穆尔蒂

高级分析师

Rajesh Krishnamurthy是加拿大渥太华一家逆向工程公司TechInsights的高级分析师。乐动篮球快讯TechInsights分析了广泛的设备,为Rajesh提供了一个独特的概述,使什么技术进入了半导体生产的现实世界。

拉杰什于1998年毕业,博士学位,材料工程,从西安大略大学,伦敦,在加拿大。拉杰什有超过20年的工作作为一个分析师经验,专注于半导体工艺的发展,半导体材料和装置的R&d。他于2006年加入TechInsights的团队。

研讨会现在是按需

周三2020年8月26日在...

网络研讨会
  • 上午11点太平洋
  • 12点中心
  • 下午1点山
  • 下午2点东

在市售逻辑器件网络研讨会ALD / ALE过程

此网络研讨会发生了2020年8月26日

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