到2023年,预计全球数字存储设备市场将达到141亿美元,通过越来越多地通过数字服务处理的数据。该市场包括用于存储,交换和检索数据的驱动器,如磁驱动器,光驱,固态驱动器,以及当然的闪存驱动器。

市场驱动程序可以简单地说明,但不能简单地解决:我们希望更可靠,更有效地存储更多数据,更少量的空间。这些看似矛盾的需求继续在数字存储中推动创新,例如9倍层范围内的3D NAND内存产品。

继续看3D NAND空间,我们发现或期待发现的最新产品有:三星92L 3D NAND、东芝96L 3D NAND、美光96L、YMTC 32L 3D NAND和SK hynix 4D(PUC)96L NAND。即使是产品描述也暗示了存储设备市场的行业领导者正在采取的各种方法。制造商们正在利用不同的层数、不同的节点尺寸、不同的粘接和封装技术来创建解决方案,这些技术结合了增量修改,以帮助他们赢得下一代产品的竞争。

随着DRAM市场的蓬勃发展,三星、SK-Hynix、Micron和Nanya等主流DRAM厂商都渴望开发和发布下一代成功缩小规模的DRAM。前三大DRAM制造商已经跃入了20纳米以下的技术节点,他们在2017年和2018年推出了1X nm等产品,如三星针对组件、移动和图形卡应用的1X和1Y LPDDR4X、DDR4和1X GDDR6。DRAM的缩小规模将在几年内继续。

在新兴的记忆技术方面,我们继续监控一些技术及其主要开发人员,包括:

  • MRAM、STT-MRAM(平面MTJ、p-MTJ):EverSpin、Crocus、Avalanche Tech、Sony、TSMC、Samsung、Micron等。
  • PCRAM(XPoint):美光、三星、英特尔、IBM等。
  • Reram(oxram,cbram / m-reram):横杆,松下,adesto,sk Hynix,tsmc等
  • 菲拉姆:赛普拉斯、罗门氏半导体、赛利斯、肯特朗等。

在研发方面,供应商也在开发下一代技术,即256层和512层。TechInsights分析师Jeongdong Choe说:“这是一种竞赛。“这是一场最高层数的竞赛。”
-半导体工程

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