联想带来了新的Snapdragon产品上市

发布时间:二〇一九年二月二十日
作者:Stacy Wegner和Daniel Yang

联想Z5临GT

联想Z5临GT

多久会带你从1数220,000?超过32秒,但32秒也许不再是据说多久看联想出售其备受瞩目的联想Z5临GT旗舰手机22万了。幸运的是,我们有一些我们自己的好运气。我们能够拿到手的我们自己的Z5临GT,我们可能要打破那些谁试图购买一个的许多人心中,正如我们在继续做我们做什么手机......我们把它撕碎了。

联想旗舰店设计新的Snapdragon平台855的缺口少,6.39” 滑盖手机上有四个摄像头 - 其中两个传言包括索尼图像传感器。纵观规格为Z5临GT表明它是不是能够5G,但联想表示他们会发布随访Z5手机是5G能够在今年晚些时候。

图1联想Z5临GT主板

图1联想Z5临GT主板

那么,究竟这个新的Snapdragon处理器,855?高通去年宣布处理器在夏威夷他们只邀请,Snapdragon的事件,他们也表现出了5G网络,像AT&T和Verizon本发明的载体。但是,像我们上面提到的,该第一联想Z5临GT是不能够5G,这意味着联想可以从新的处理器利用其它高级功能。

LPDDR4x -新一代已经到来

下面是三星的64Gb(8GB)LPDDR4X SDRAM K3UH7H70AM-的AgCl模具照片。我们已经证实,它有三星的第二代10纳米级(1Y)LPDDR4X模具。

其他设计优胜者

在我们得到在新的Snapdragon偷看,这里的其他获奖者设计的快速列表:

图2三星1Y纳米LPDDR4x模

图2三星1Y纳米LPDDR4x模

图3三星模划痕

图3三星模划痕

LPDDR4x -新一代已经到来

下面是三星的64Gb(8GB)LPDDR4X SDRAM K3UH7H70AM-的AgCl模具照片。我们已经证实,它有三星的第二代10纳米级(1Y)LPDDR4X模具。

图4闪存:东芝THGAF8T1T83BAIR

图4闪存:东芝THGAF8T1T83BAIR

闪存

东芝THGAF8T1T83BAIR,256GB UFS 2.1,与东芝64-L 3D NAND闪存芯片。

图5的高通WCN3998

图5的高通WCN3998

的Wi-Fi / BT

令我们惊讶的是,我们发现高通WCN3998的Wi-Fi 6(802.11ax)和蓝牙5.0无线组合芯片,并根据高通,该芯片还支持数字FM。

图6 NXP Q3304

图6 NXP Q3304

NFC控制器

恩智浦赢得了NFC插座。

图7高通SDR8150

图7高通SDR8150

RF收发器

所述RF收发器与所述的Snapdragon X24 LTE调制解调器配对是高通公司SDR8150。它很可能fabbed 14纳米鳍式场效应晶体管,这是我们目前所看到的最先进的节点蜂窝收发器。

图8的高通QET5100

图8的高通QET5100

包络跟踪IC

联想Z5临GT还拥有一个全新的高通QET5100,从高通新的包络跟踪器IC。

图9 Samsung K3UH7H70AM-AGCL, 8 GB LPDDR4X

图9 Samsung K3UH7H70AM-AGCL, 8 GB LPDDR4X

高通Snapdragon 855

联想Z5临GT是全球首款量产的智能手机将采用高通公司的Snapdragon 855移动平台。一个有趣的问题:通常是三星Galaxy S系列智能手机旗舰产品是第一个向市场推出新的高通Snapdragon平台,尤其是在发布了针对美国市场的手机。

高通SM8150处理器被发现在封装(PoP)组装的底部,其中包括新的三星8gb LPDDR4x DRAM K3UH7H70AM-AGCL在顶部,高通Snapdragon 855 SM8150在底部。

图10高通Snapdragon SM8150处理器 - 顶

图10高通Snapdragon SM8150处理器 - 顶

这是Snapdragon 855 AP的包装标记,显示的是SM8150。

图11高通SM8150芯片照片

图11高通SM8150芯片照片

非常感谢我们的实验室COL-SM-12 COL-lgleagues的快速周转,并把我们的芯片信息和AP /调制解调器的芯片照片死HG11-PC761-2。芯片尺寸(密封)8.48毫米×8.64毫米=73.27平方毫米,上相比三星10LPP fabbed Snapdragon的845模具HG11-P7872-2当TSMC 7FF fabbed裸片表示17.9%模具收缩。

以前的Snapdragon 845,835和820处理器都分别建立在三星10LPP的FinFET(FF),10LPE FF和14LPP FF工艺技术。然而,今年的Snapdragon 855不被三星fabbed,而是由台积电7FF(7纳米)工艺。

音频IC

音频胜俩去Cirrus Logic公司与他们的CS47L35音频编解码器和CS35L41B音频放大器。

电源管理IC

在我们乍看之下,有三个高通电源管理IC:PM8150,PM8150A和PM8150B。

RF前端模块

我们发现一个Qorvo QM77031和QM77033。可能有更多的胜利为Qorvo因为我们通过拆解进步。

怎么样的价格?

Before we get ready to eagerly watch the Samsung Unpacked event and lay our eyes on the Samsung Galaxy S10, Galaxy S10 Plus, and whatever else Samsung has in store for the world, we chatted with our costing manager Al Cowsky to talk about a ‘What-if’ scenario for the SM8150 in regard to the pricing impact of going to a smaller process node on the SM8150.

作为我们的标准过程的一部分,我们已计数的SM8150的销,测量其封装尺寸,甚至测定其管芯面积。使用这些测量,我们估计使用不同的FinFET技术的处理器的价格:

工艺节点 预计售价
确认 为7nm $ 73.18
如果 10纳米 116.23美元
如果 为14nm $ 133.94

这些估计假设模具尺寸的10与比例封装尺寸的增加而线性级数和14nm以下。

展望未来

我们已经开始了对骁龙855的基本平面图分析,TechInsights将发布一份高通骁龙855 AP/Modem芯片的数字平面图分析报告。有关分析的详细信息,请联系我们,或登录TechInsights应用程序中的您的帐户,以了解报告的最新进展。

TechInsights的expects that the Qualcomm Snapdragon 855 will be a popular platform this year in the world’s leading flagship smartphones, and particularly in many that will be released at the upcoming Mobile World Congress 2019. TechInsights’ Stacy Wegner and Daniel Yang will be at Mobile World Congress 2019 again this year, so be sure to follow us on our blog and on Twitter.

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