巨大的前期研发投资要求客户拥有最新、准确的竞争情报

我们的分析量化了未知因素,帮助您做出明智的决策。我们可以确定将高级内存推向市场的成本,我们研究潜在的市场挑战以帮助您确定风险,我们还可以帮助您确定降低风险的策略。

提供您需要的事实,以便对您的最大投资做出明智的决策

使您能够更快地进入市场与一流的产品

使您能够增加市场份额和收入

定制内存分析以满足您的需求

TechInsights Memory产品的开发是为了根据您的行业和角色提供您所需的重点技术情报。

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DRAM功能分析(MFR)

包括:

  • 图像集支持的执行摘要
    • 工艺节点及铸造标识
    • 临界尺寸
    • 功能块摘要
    • 堆叠光学金属和多晶硅模具照片在CircuitVision中提供。包括校准测量和注释工具
    • 扫描电镜横截面和斜面成像
    • 13-15份报告/年

DRAM:SWD与感测放大器晶体管特性

包括:

  • 晶体管特性报告(TCR)
    • IOFF与离子和IOFF与ID的通用曲线,LIN源自
      • 5个NMOS和5个PMOS子字线驱动晶体管,在85°C下跨多个VDD
      • 5个NMOS和5个PMOS感测放大器晶体管,在85°C下跨多个VDD
    • 对于每个通用曲线数据点
      • 晶体管特性:ID、 卫星,我D、 林,我远离的,五T、 林&五T、 卫星,ΔVGS公司,克,不锈钢,DIBL
      • 输出特性
  • 分析覆盖率
    • 4份报告/年
    • 趋势分析
    • 4小时支持

DRAM外围设计(MDP):感测放大器,子字线驱动器

包括:

  • 关键设备指标的简明分析摘要
    • 感测放大器电路原理图
    • 子字线驱动器电路原理图
    • CircuitVision提供的延迟DRAM读出放大器和子字线驱动器的详细堆叠SEM图像。包括校准的测量和注释工具
    • ~4份报告/年

DRAM:电路分析

包括:

  • 全电路分析
    • 1-内存阵列和外围设备
    • 2-地址路径
    • 3-数据路径
    • 4-控制块、配置和测试块
    • 5-电压发生器系统
  • 选择块电路分析
    • 1-内存阵列和外围设备
    • 3-数据路径
    • 5-电压发生器系统*
      *根据事件和客户兴趣,TechInsights可能会生成1个选择块电路分析,包括块(1、3、5)或2个选择块电路分析,包括块(1、3)
  • 分析覆盖率
    • 满1/年
    • 选择块1/年

NAND功能分析

包括:

  • 分析覆盖率
    • 图像集支持的执行摘要
      • 工艺节点及铸造标识
      • 临界尺寸
      • 功能块摘要
      • CircutVision提供的堆叠光学顶部金属和多晶硅照片,包括校准的测量工具
      • 扫描电镜横截面成像
    • 13-15份报告/年

NAND外围设计(MDP):页缓冲区,字线驱动程序

包括:

  • 关键设备指标的简明分析摘要
    • 页缓冲器电路原理图:解码器、开关和控制器
    • 字线驱动电路原理图:解码器和开关
    • CircuitVision提供的斜面NAND页缓冲区和worline驱动程序的详细堆叠平面图SEM图像。CircuitVision包括校准的测量和注释工具
    • ~4份报告/年

NAND:电路分析

包括:

  • 全电路分析
    • 1-内存阵列和外围设备
    • 2-地址路径
    • 3-数据路径
    • 4-控制块、配置和测试块
    • 5-电压发生器系统
  • 选择块电路分析
    • 1-内存阵列和外围设备
    • 3-数据路径
    • 5-电压发生器系统*
      *根据事件和客户兴趣,TechInsights可能会生成1个选择块电路分析,包括块(1、3、5)或2个选择块电路分析,包括块(1、3)
  • 分析覆盖率
    • 满1/年
    • 选择块1/年

先进工艺

包括:

  • 高级内存要素(AME)
    • 专注于领先的NAND和DRAM存储技术
    • 由大型图像集支持的执行摘要
    • 扫描电镜横截面和斜面成像
    • TEM-EDS横截面分析
    • 8份报告/年
  • 分析覆盖率
    • 按技术要素列出的技术趋势/路线图
    • 设计技术交互分析
    • 过程集成的详细说明
    • 下一节点预测
    • 3次简报/年
    • 趋势分析
    • 预测
    • 1次年度研讨会
    • 4小时支持

工艺流程

*需要高级进程订阅

包括:

  • 工艺流程分析(PFA)
    • 显示流程、体系结构、掩码列表和集成级流程步骤的电子表格
    • 8内存/年
  • 工艺流程全仿真(PFF)
    • PFA内容可能会更新
    • 布局GDS完全分解为流程层
    • 三维仿真
    • Synopsys输入(路由层甲板)*
      *需要Synopsys许可证才能查看和修改
    • 6内存/年
  • 分析覆盖率
    • 单元设计技术交互分析
    • 从晶圆输入到晶圆输出的过程集成的详细说明
    • 工艺步骤、材料、设备类型、单元工艺
    • SEM和TEM横截面和顶视图图像
    • 图层注释、特定流程模块、假设
    • 趋势分析
    • +4小时支持

嵌入式和新兴功能分析(MFR)

包括:

  • 分析覆盖率
    • 专注于前沿的嵌入式和新兴存储技术
    • 图像集支持的执行摘要
    • 工艺节点及铸造标识
    • 临界尺寸
    • 功能块摘要
    • CircuitVision中提供的堆叠光学顶部金属和多晶硅照片商标
    • 扫描电镜斜面
    • 扫描电镜横截面成像
    • 4份报告/年

嵌入式和新兴流程分析

包括:

  • 分析覆盖率
    • 专注于前沿嵌入式和新兴内存
    • 由大型图像集支持的执行摘要
    • 扫描电镜横截面和斜面成像
    • TEM-EDS横截面
    • 按技术要素列出的技术趋势/路线图
    • 设计技术交互分析
    • 过程集成的详细说明
    • 下一节点预测
    • 4份报告/年
  • 趋势分析-1次简报/年
  • 预测
  • 问答

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