对新兴的电力半导体产品进行定期、简洁的分析。

半导体工业正在开发新的功率处理技术,使用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),它们体积更小、效率更高、损耗更低、击穿电压更高。

Silicon (Si) offerings in this space are very mature, but we continue to see noteworthy innovations. This subscription-based service provides you access to our analysis on these cutting-edge products.

TechInsights的电力订阅产品提供了对新兴电力半导体产品的洞察,因为它们进入了大批量应用的量产阶段。

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动力网络研讨会

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动力要领

电源设备(PEF)

包括:

  • 年度目标
    • 10份PDF报告及支持图片
  • 分析报道
    • 设备指标和显著特征
    • 包装x光片和模具照片
    • 扫描电镜平面图图像和横截面扫描电镜图像
    • 横截面TEM图像与材料分析
  • 分析员管理
    • 三年度分析师简报
    • Annual patent landscape summary
    • 年度研讨会
  • 实时更新
    • 在发布项目进展(产品环境足迹报告、分析师简报等)之前访问项目进展

碳化硅(SiC)工艺流程

碳化硅(SiC)工艺流程

包括:

  • 工艺流程分析(PFA)
    • 显示流程架构、掩码列表和集成级流程步骤的报告(目标:每年4个)
  • 工艺流程全仿真(PFF)
    • 扩展了PFA报告中提供的详细信息
    • 布局GDS完全分解为过程层
    • 提供的PDF报告是使用Synopsys Process Explorer构建的
    • 在Synopsys中操纵报告数据(需要Synopsys许可证)
    • 带支持图像的流程全仿真报告(目标:每年4个)
  • 分析师
    • 设计技术互动分析
    • 从晶圆输入到晶圆输出的过程集成的详细说明
    • 工艺步骤、材料、设备类型、单元工艺
    • SEM和TEM横截面和俯视图图像\层注释,特定过程模块,假设

碳化硅(SIC)Placeplan(PFR)

碳化硅(SIC)Placeplan(PFR)

包括:

  • PDF报告
    • 公司简介
    • 执行摘要
    • 设备标识:选定的拆卸照片(可选)、包装照片、包装X光片、模具照片,包括模具角和焊盘,以及延迟模具照片
    • 工艺分析:显示模具厚度的模具边缘,晶体管门阵列边缘或模具密封,晶体管门阵列概述/细节
    • 排样分析:带注释的延迟模具照片,模具使用表
    • 成本分析
  • 图像文件夹
    • 封装和模具图像
    • 扫描电镜横截面图像
  • 支持CircuitVision的顶部金属和栅极级/衬底图像
  • 15份报告/年

碳化硅(SIC)Placeplan(PFR)

氮化镓(GaN)平面布置图(PFR)

包括:

  • PDF报告
    • 公司简介
    • 执行摘要
    • 设备标识:选定的拆卸照片(可选)、包装照片、包装X光片、模具照片,包括模具角和焊盘,以及延迟模具照片
    • 工艺分析:显示模具厚度的模具边缘,晶体管门阵列边缘或模具密封,晶体管门阵列概述/细节
    • 排样分析:带注释的延迟模具照片,模具使用表
    • 成本分析
  • 图像文件夹
    • 封装和模具图像
    • 扫描电镜横截面图像
  • 支持CircuitVision的顶部金属和栅极级/衬底图像
  • 15份报告/年

Custom Services

可用的自定义服务

  • 产品拆卸
    • 电力电子产品产品拆除详细分析
  • 电源流程流程
    • 工艺流程模拟(工艺步骤、工具类型、材料)
    • 根据具体情况确定工作范围;与我们讨论自定义选项
  • 包装分析
    • 详细封装分析、横截面封装分析、SEM成像、SEM-EDS材料分析
  • 电学特性
    • 传输特性(IDVG)、输出特性(IDVD)、RDSON、击穿电压
  • 选区电子衍射
    • GaN基外延层的TEM基SAED

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