当电脑曾经在动态随机存取存储器(DRAM)产业的主要驱动力;现在,有在这个空间更加多元化的市场推动创新。由于不断增加的需要更强大的设备继续建设,因此,也不会大容量处理器,半导体和芯片组的可用性。智能手机,平板电脑,数据中心,汽车应用,并日益成为物联网,以及高带宽内存要求人工智能和机器学习,背后是唱片业的利润。

DRAM预计将经历2018年和2023年在韩国,台湾,日本和中国制造业的成功之间28.70%的复合年增长率都位于亚洲作为一个突出的DRAM市场。

随着DRAM市场依然红火,各大DRAM的球员,如三星,SK海力士,美光和南亚渴望开发和发布他们的下一个新的成功,按比例缩小的一代。前3 DRAM厂商已经跳进亚20纳米技术节点,通过引入产品,如1X纳米在2017年和2018年,像三星的1X和1Y LPDDR4X,DDR4和GDDR6,以及DRAM向下扩展将继续在几年份。

考虑到DRAM电池TR工程和电容结构提供了有限的能力,进一步缩小到18或1a,主要厂商可能会寻求采用新的技术创新,如柱状电池电容器,高k电容介质,双工作功能层埋字线闸,低k介电间隔和空气间隙。

1T-DRAM或电容器DRAM产品4F2单元设计可能看不到了一段时间,但我们会在最近看到DDR5,LPDDR5产品在商业市场上在今年年底或明年年初。HBM2(三星,SK海力士)和HMC2(美光),现在被广泛用于GPU(AMD,NVIDIA)。一些新的中国公司DRAM - 包括UniIC和CXMT - 纷纷推出自己的产品推向市场,我们很高兴来分析三星的GDDR6

我们将继续关注这一领域的创新,并不断调整路线图涵盖拆卸/成本、架构、设计、工艺集成、功能测试、封装、结构、电路、晶体管特性和波形分析。

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在这一领域,一个成功的IP战略需要对DRAM中具有经济意义的破坏性事件的认识,对关键的和即将到来的市场参与者的知识,以及正确应用逆向工程技术来识别最新DRAM技术一代又一代的变化。乐动篮球快讯