英特尔10nm的逻辑流程分析(坎农湖)

发布时间:2018年6月12日

英特尔10nm的逻辑流程分析

英特尔10nm的逻辑流程分析

TechInsights的发现期待已久的炮湖 - 的i3-8121U CPU内部的英特尔10nm的逻辑过程,在联想IdeaPad330使用。

这种创新主要有下列:

  • 每毫米100.8兆晶体管逻辑晶体管密度2,增加10nm的密度2.7X在14nm以下节点
  • 采用第三代FinFET技术
  • 从70nm至54纳米的Intel的10个纳米工艺收缩的最小栅极间距
  • 最小金属间距从52纳米收缩至36nm

工艺要点:

  • 当前10nm与即将到来的7项纳米技术的最深缩放间距
  • 首先联合金属化和Ru使用在BEOL
  • 在接触和BEOL新的自对准图案化方案

设计亮点:

  • 经由6.2-轨道高密度库Hyperscaling
  • 接触上的有源栅极(COAG)单元级使用

英特尔10nm的逻辑流程分析

保持最新从TechInsights的最新新闻和更新