Sinjin Dixon Warren，高级流程分析师
Sinjin Dixon Warren是TechInsights的高级工艺分析师，拥有20多年的半导体分析经验，是电力电子分析的主题专家（SME）。他拥有多伦多大学化学物理博士学位；他的一些专业包括半导体物理和器件、材料科学和表面分析化学。
Sinjin Dixon Warren是TechInsights的高级工艺分析师，拥有20多年的半导体分析经验，是电力电子分析的主题专家（SME）。他拥有多伦多大学化学物理博士学位；他的一些专业包括半导体物理和器件、材料科学和表面分析化学。
2020年11月3日
意法半导体（STMicroelectronics）首次进军氮化镓（GaN）电力电子市场。MasterGaN1是一个集成半桥高压驱动器，带有两个650V增强型GaN HEMT和一个双极CMOS DMOS（BCD）栅极驱动器，根据最近的新闻稿。两个集成的GaN高电子迁移率晶体管（hemt）具有相同的特性黑森150mohm，采用9mm×9mm四平板无铅（QFN）封装。
MasterGaN1器件代表了意法半导体第一个基于GaN的产品；然而，ST在GaN市场上非常活跃。2020年3月，ST收购了一家法国公司ExaGaN的主要股权，并于2018年9月收购宣布与CEA-Leti合作开发甘甘型技术。2020年2月，圣和台积电宣布合作开发GaN基产品。
