SK hynix 128L 3D PUC NAND(4D NAND)

SK hynix 128L 3D PUC NAND(4D NAND)

skhynix发布了世界上第一个128层(128L)3D NAND,他们称之为4D NAND。这是他们的第二代NAND使用外围下单元(PUC)架构构建;第一代是他们的96L NAND。

In PUC architecture, peripheral circuits are stacked under the cell, resulting in higher 3D NAND bit density, and improving performance and capacity. This approach is comparable to Micron & Intel’s CuA (CMOS circuitry under cell array) and YMTC’s Xtacking (where peripheral circuitry and NAND array are processed separately and then hybrid bonded).

SK hynix 128L 3D PUC NAND(4D NAND)分析

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根据我们对这项新技术的早期分析,与之前的SK hynix 72L/76L P-BiCS和SK hynix 96L PUC相比,我们观察到以下几点:

SK海力士72L/76L P-BiCS SK海力士96L PUC
(4D和1)发电机)
SK海力士128L PUC
(4D和2)发电机)
3D NAND版本。 第4版 版本5 V6发动机
#堆叠 2 2 2
#累计门数 82/86
(不包括PCG)
115 147
#总活动WLs 72/76 96 128
#选择器 3个SGS+3个SGD 7个SGS+3个SGD 7个SGS+3个SGD
垂直电池效率
(VCE)1
87.8 % / 88.4 % 83.5% 87.1%
钻头密度 4.30 Gb/毫米2 6.30 Gb/毫米2 8.15 Gb/毫米2(expected)

1VCE总门中#活动单元的百分比,(#活动WLs)/(#总门)x100%

  • The 1st gen. 4D NAND PUC 96L products (V5) showed 115 gates in total on a silicon source plate
  • 第二代PUC 128L产品(V6)总共使用147个门,可能包括9个虚拟字线(dwl)、7个选择门源端(SGS)和3个选择门漏端(SGD)
  • 这意味着垂直单元效率提高到87.1%,TLC芯片上的内存位密度约为8.15GB/mm2

通过增加图层(即从76L增加到96L,现在又增加到128L)所提供的位密度的增加,正在推动技术边界,无疑将使竞争继续进行下去。位密度的增加也会影响其他NAND内存设计方面,这将变得更具挑战性,从头开始解决(即没有公正的第三方洞察)。

TechInsights预计,未来几个月,所有主要制造商都将推出约128L的产品。我们期待着分析和比较不同的解决办法。

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