SK海力士128L三维NAND工艺流程全部 - 内存

产品代码
PFF-2009-801
发布日期
可用性
在创建
商品项目代码
HYN-H25T2TB88E
设备制造商
海力士
设备类型
NAND闪存
订阅
内存 - NAND及DRAM
渠道
内存 - 业务流程分析
报告码
PFF-2009-801
The world’s first 128L 3D NAND (referred to as 4D NAND by SK Hynix) SK Hynix 128L TLC 512 Gb die It shows a vertical cell efficiency increased to 87.1 %, and memory bit density with 8.11 Gb/mm2 which is comparable with 9xL QLC dies from Samsung (92L) and KIOXIA (96L).

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