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DRAM功能分析(MFR)

包括:

  • 执行摘要支持图像集
    • 流程节点和铸造识别
    • 批评维度
    • 功能块摘要
    • 堆叠的光学顶部金属和聚模具照片在电路中输送。包括校准测量和注释工具
    • SEM横截面和斜面成像
    • 13-15报告/年

DRAM:SWD和SENSE AMP晶体管表征

包括:

  • 接收器表征报告(TCR)
    • IOFF与IOF和IOFF与ID的通用曲线,林派生
      • 5个NMOS和5个PMOS子字线驱动器晶体管,在85°C的多个VDD上
      • 5个NMOS和5个PMOS传感放大器,在85°C下跨越多个VDD
    • 对于每个通用曲线数据点
      • 晶体管特性:ID,周六, 一世D,Lin., 一世离开,V.T,Lin.&V.星星,ΔVGS, Gm,ss,dibl
      • 输出特性
  • 分析报道
    • 4报告/年
    • 趋势分析
    • 4小时支持

DRAM外围设计(MDP):感觉放大器,子字行驱动程序

包括:

  • 简明分析师的关键设备指标摘要
    • 检测放大器电路原理图
    • 子字行驱动器的电路原理图
    • CircuitVision提供的延迟DRAM传感放大器和子字行驱动器的详细堆叠SEM图像。包括校准的测量和注释工具
    • 〜4报告/年

DRAM:电路分析

包括:

  • 完整的电路分析
    • 1 - 内存阵列和外设
    • 2 - 地址路径
    • 3 - 数据路径
    • 4 - 控制块,配置和测试块
    • 5 - 电压发生器系统
  • 选择块电路分析
    • 1 - 内存阵列和外设
    • 3 - 数据路径
    • 5 - 电压发生器系统*
      *根据事件和客户兴趣,TechInsights可能会产生1个选择块电路分析,包括块(1,3,5)或2选择块电路分析,包括块(1,3)
  • 分析报道
    • 完整1 /年
    • 选择块1 /年

NAND功能分析

包括:

  • 分析报道
    • 执行摘要支持图像集
      • 流程节点和铸造标识
      • 临界尺寸
      • 功能块摘要
      • 堆叠的光学顶部金属和聚芯片在循环中传递,包括校准测量工具
      • SEM横截面成像
    • 13-15报告/年

NAND外围设计(MDP):页面缓冲区,WordLine驱动程序

包括:

  • 简明分析师的关键设备指标摘要
    • 页面缓冲区的电路示意图:解码器,交换机和控制器
    • WordLine驱动程序的电路示意图:解码器和交换机
    • CircuitVision提供的斜面NAND页缓冲区和worline驱动器的详细堆叠平面视图SEM图像。CircuitVision包括校准的测量和注释工具
    • 〜4报告/年

NAND:电路分析

包括:

  • 完整的电路分析
    • 1 - 内存阵列和外设
    • 2 - 地址路径
    • 3 - 数据路径
    • 4 - 控制块,配置和测试块
    • 5 - 电压发生器系统
  • 选择块电路分析
    • 1 - 内存阵列和外设
    • 3 - 数据路径
    • 5 - 电压发生器系统*
      *根据事件和客户兴趣,TechInsights可能会产生1个选择块电路分析,包括块(1,3,5)或2选择块电路分析,包括块(1,3)
  • 分析报道
    • 完整1 /年
    • 选择块1 /年

先进工艺

包括:

  • 高级内存要素(AME)
    • 专注于领先的边缘NAND和DRAM记忆技术
    • 执行摘要由大型图像集支持
    • SEM横截面和斜面成像
    • TEM横断面分析与TEM EDS
    • 8报告/年
  • 分析报道
    • 技术趋势/路线图技术因素
    • 设计技术互动分析
    • 进程集成的详细说明
    • 下一个节点预测
    • 3个简报/年
    • 趋势分析
    • 预测
    • 1年度研讨会
    • 4小时支持

流程流

*需要先进的过程订阅

包括:

  • 过程流程分析(PFA)
    • 显示过程,体系结构,掩码列表和集成级流程步骤的电子表格
    • 8记忆/年
  • 流程全仿真(PFF)
    • 可以更新PFA内容
    • 布局GDS完全分解为过程层
    • 3D仿真
    • Synopsys输入(路线级甲板)*
      *需要Synopsys许可证来查看和修改
    • 6记忆/年
  • 分析报道
    • 细胞设计技术互动分析
    • 详细说明从晶圆导入到晶圆输出的过程集成
    • 工艺步骤,材料,设备类型,单位过程
    • SEM和TEM横截面和顶视图
    • 层注释,特定过程模块,假设
    • 趋势分析
    • +4 HRS支持

嵌入式和新兴功能分析(MFR)

包括:

  • 分析报道
    • 专注于前沿的嵌入式和新兴的存储技术
    • 执行摘要支持图像集
    • 流程节点和铸造标识
    • 临界尺寸
    • 功能块摘要
    • 堆叠的光学顶部金属和电压电压仪TM值
    • SEM斜
    • SEM横截面成像
    • 4报告/年

嵌入式流程分析

包括:

  • 分析报道
    • 专注于前沿嵌入式和新兴记忆
    • 执行摘要由大型图像集支持
    • SEM横截面和斜面成像
    • TEM横断面与TEM EDS
    • 技术趋势/路线图技术因素
    • 设计技术互动分析
    • 进程集成的详细说明
    • 下一个节点预测
    • 4报告/年
  • 趋势分析- 1个简报/年
  • 预测
  • 常见问题

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