联系我们 产品代码 tcr - 2008 - 801 发布日期 可用性 在创建 产品项目代码 山姆- 990 设备制造商 三星 设备类型 应用程序处理器 订阅 逻辑 通道 逻辑-晶体管特性 报告的代码 tcr - 2008 - 801 该产品展示了三星7LLP第二代finFET高k金属栅极(HKMG) CMOS工艺的晶体管特性，该工艺存在于三星Exynos 990应用处理器中。 login or register as a guest.">下载样例报告 一个独特的金库的信任，准确的数据在您的指尖 我们的分析深入到揭示各种产品背后的内部工作原理和秘密。 了解更多 搜索我们的分析和网站 今天就开始搜索我们的图书馆吧 提交 相关分析 制造商 分析类型 订阅频道 分析简报:逻辑- SoC设计- 2020 电路 逻辑- SoC设计分析 分析简报:逻辑晶体管特性2020 12 系统 逻辑-晶体管特性 高通骁龙865 GPU SoC设计分析 Qualcomm 过程 逻辑- SoC设计分析 高通骁龙865 CPU 7.5轨道SoC设计分析 Qualcomm 电路 逻辑- SoC设计分析 英特尔SRH4U基模22FFL工艺aCMOS Essentials 英特尔 过程 逻辑-流程 TSMC门结构的演变 过程 逻辑晶体管结构比较 台积电S/D架构发展 过程 逻辑晶体管结构比较 HiSilicon麒麟990 5G CPU SoC设计分析 海思康科技有限公司 电路 逻辑- SoC设计分析 HiSilicon麒麟990 5G GPU SoC设计分析 海思康科技有限公司 电路 逻辑- SoC设计分析 HiSilicon麒麟990 5G CPU SoC设计标准Cell GDS库分析 海思康科技有限公司 电路 逻辑-标准单元GDS分析
