2017年11月17日
围绕这些算法开发了重要的知识产权与纠错，读重试技术，佩戴调平，垃圾收集，数据冲洗和数据修剪相关的算法相关。
测试控制器和闪存之间的接口，同时从主机接口控制SSD，可以揭示关于这些算法的重要细节，以及哪些信息存储在哪些位置(数据和管理表，等等)。
TechInsights最近的一项调查发现了一个有趣的读重试操作的使用。
如果初始页读取不确定或错误率很高，则Read Retry会使用不同的参数进行第二次读取(例如，电压阈值的更改)。
Samsung已经实现了一个复杂的读重试，用于3D NAND，包括一系列不同的命令。调查还透露，在某些命令之后，控制器在5到10中执行地址周期数的倍增。除了修改后的地址之外，额外的地址周期似乎包括命令结构。
增加可靠性
随着设备老化和程序/擦除周期的增加，单元大小的减小和每个单元比特数的增加会降低闪存的可靠性——特别是数据保留。
Read Retry通过改变设备参数来降低错误率来提高可靠性。
三星正在实施的方法是复杂的，并提供了比竞争方法更大的参数调整能力，这应该提供一个更优的结果，在数据保留和设备可靠性。
感兴趣的领域
如果您或您的客户组织拥有与内存IC、消费者SSD、企业存储或控制器相关的IP资产，您应该了解read retry 3D NAND中的这一发展。
记忆ic
- 对如何使用内存控制器来提高闪存的可靠性、持久性和寿命感兴趣
- 通过监控控制器和闪存之间的交互，可以理解用于实现磨损均衡、垃圾收集、坏块映射、读清除、读干扰管理和读重试操作的控制器序列
- 来自配对内部控制器内存性能的优化操作与第三方设备
消费者SSD VS Enterprise Storage
- 企业SSD需要更高级别的可靠性、性能和数据完整性，因此更有可能在这些应用程序中使用健壮的算法
- 在这两个应用中，控制器需要响应主机命令，在主机和闪存之间传输数据，并管理闪存的可靠性和持久性。企业控制器可以在管理闪存的同时保持更高和更一致的数据传输水平。
