三星3 d V-NAND 64 l

发布:2018年1月17日

三星3 d V-NAND 64 l

三星3 d V-NAND 64 l

三星发布了他们64 l 3 d V-NAND解决方案对关键客户,2017年1月6月和加大生产一般市场的扩大。

创新包括以下亮点:

  • 垂直与非细胞结构与71年盖茨和20 nm提单间距的一半
  • NAND串配置可能与64字线,4设计水线,2串选择线路和1地选择线
  • 9通道孔之间的集成常见的源代码行包括1哑洞
  • 层压层和隧道氧化层沉积电荷陷阱
  • 面具为王垫装饰设计更新
  • 中压晶体管代替低压X-dec晶体管

这个设备有很多原因引起了我们的注意,我们进行了大量的分析。我们提供以下报告定义三星64 l 3 d V-NAND,以及通过我们的各种信息订阅产品和工具。

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