发布时间：2017年11月9日
英特尔/美光64L三维NAND分析
英特尔545S固态硬盘于2017年6月推出，是首款包含英特尔/美光64L 3D NAND的产品，也是首批使用64L的固态硬盘之一。该设备拥有更紧凑的模具平面图，改进的内存外设设计，内存密度从32L增加了90%。
这个装置引起我们注意的原因有很多，我们对此进行了大量的分析。我们提供关于Intel/Micron 64L 3D NAND的几种不同类型的报告，以及通过我们各种订阅产品和工具提供的信息。
比较32L和64L
英特尔/美光64L NAND闪存器件的技术创新:32L与64L的比较
贞洞崔博士，高级技术研究员TechInsights的，指出32L三维NAND和64L三维NAND之间的以下比较。
TechInsights对英特尔/美光公司最近发布的64L 3D FG NAND器件进行了分析，发现他们成功开发并应用于64L NAND产品，与之前的32L 3D NAND产品有很大的不同。
1.芯片尺寸、内存密度和阵列效率:Intel/Micron 64L 3D NAND芯片(58.18 mm2)尺寸是以前32L (168.2 mm2)的四分之一。由于模具尺寸较小，每个模具的内存密度从2.28 Gb/mm增加24.40 Gb /毫米2，比之前的32L 3D NAND产品增长了近90%。模具尺寸比32L NAND小65%。存储阵列的效率为89.8%，而32L的效率为84.9%。
2.图案技术:64L 3D NAND产品使用20纳米技术节点(BL半节距)与侧壁间隔工艺，如SADP (Self Align Double Patterning)。之前的32L 3D NAND使用了80纳米BL间距的单光刻。
3.双堆叠NAND串:64L 3D NAND串由两个32L的NAND串组成，即32L + 32L。英特尔/美光公司首次开发并批量生产了双层叠NAND串技术，而三星、东芝和西部数据等其他NAND播放器仍在64L 3D NAND产品中使用单层叠NAND串。
4.内存块:使用内存块，但布局与英特尔/美光的32L NAND芯片有很大不同。有32个内存块，这意味着内存密度为8gb /块。64L模具上的单个瓷砖尺寸为1.10毫米2，而32L裸片具有9.14平方毫米平铺尺寸。对于每个区块存储密度达到7.27 GB /毫米2。
5.电池门:英特尔/美光仍然使用薄FG(浮动门)与GAA(门周围)和ONO阻挡层。垂直堆叠的门的总数是76个，其中可能有两个选择门(SGS, SGD)和10个虚拟字行放置64个活动字行。相比之下，Intel/Micron 32L 3D FG NAND单元结构使用了40个栅极。
6.其他：Intel/Miron保留了与32L NAND相同架构的CuA（CMOS under Array）。芯片平面图更加紧凑，改进了内存外围设计，包括WL驱动程序和页面缓冲区。字线焊盘连接的掩模设计和工艺集成也得到了改进。
| 项目 | 英特尔(32 l) | 英特尔(64升) |
|---|---|---|
| 死的标记 | 英特尔L06B 2014（M）（C） | 英特尔B16A 2016（M（（C） |
| 芯片面积 | 168.2毫米2 （15.36毫米x10.95毫米） |
58.18毫米2 (7.43毫米x7.83毫米) |
| 记忆密度(/模) | 2.28 Gb /毫米2 | 4.40 Gb /毫米2 |
| 内存阵列效率 | 84.9% | 89.8% |
| 数量的瓷砖 | 32个内存瓷砖 | 32个内存瓷砖 |
| 内存(/瓦) | 12 Gb/瓦 | 8gb / Tile |
| 瓷砖面积 | 9.14毫米2 （2.75毫米×3.32毫米） |
1.10毫米2 （1.10毫米x 1.00 mm） |
| 内存密度（/tile） | 1.31 Gb /毫米2 | 7.27 Gb/mm2 |
表1：Intel/Micron 32L和64L 3D NAND内存密度和效率比较
