对新出现的功率半导体产品进行定期，简化分析。
半导体行业正在使用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）开发新的电力过程技术，该碳化硅（SiC）较小，氮化镓（GaN），具有较低的损耗和更高的击穿电压。
这个领域的硅产品非常成熟，但我们继续看到值得注意的创新。这个基于订阅的服务为您提供了访问我们对这些前沿产品的分析。
可用功率半导体订购
权力要领（PEF）
包括:
- 年度目标
- 10个PDF报告和支持图像
- 分析报道
- 设备指标和突出功能
- 包装x光片和die照片
- 扫描电镜平面图像和横断面扫描电镜图像
- 横截面TEM图像和材料分析
- 分析管理
- 一年三次分析师简报
- 年度专利景观总结
- 年度研讨会
- 实时更新
- 在发布之前，进入项目工作（PEF报告，分析师简报等）
碳化硅(SiC)工艺流程
包括:
- 工艺流程分析(PFA)
- 显示过程架构、掩码列表和集成级过程步骤的报告(目标:每年4个)
- 流程全仿真(PFF)
- 详述PFA报告中提供的细节
- 布局GDS完全分解为过程层
- 提供的PDF报告是使用Synopsys进程资源管理器构建的
- 在Synopsys中操纵报告数据（需要Synopsys许可证）
- 具有支持图像的流程流完全模拟报告(目标:每年4个)
- 分析师
- 设计技术互动分析
- 详细说明从晶圆导入到晶圆输出的过程集成
- 工艺步骤、材料、设备类型、单元工艺
- 扫描电镜和透射电镜横断面和顶视图图像\层注释，具体流程模块，假设
碳化硅（SIC）Placeplan（PFR）
包括:
- PDF报告
- 公司简介
- 执行概要
- 设备标识:选定的拆卸照片(可选)，包装照片，包装x光片，模具照片，包括模具角和粘合垫，延迟模具照片
- 工艺分析:显示模具厚度的模具边缘，晶体管栅极阵列边缘或模具密封，晶体管栅极阵列概述/细节
- 布局分析:带注释的延迟模照片、模使用表
- 成本分析
- 文件夹的图片
- 封装和模具图像
- 扫描电镜截面图像
- CircuitVision支持顶部金属和门级/基片图像
- 15份报告/年
氮化镓(GaN)平面图
包括:
- PDF报告
- 公司简介
- 执行概要
- 设备标识:选定的拆卸照片(可选)，包装照片，包装x光片，模具照片，包括模具角和粘合垫，延迟模具照片
- 工艺分析:显示模具厚度的模具边缘，晶体管栅极阵列边缘或模具密封，晶体管栅极阵列概述/细节
- 布局分析:带注释的延迟模照片、模使用表
- 成本分析
- 文件夹的图片
- 封装和模具图像
- 扫描电镜截面图像
- CircuitVision支持顶部金属和门级/基片图像
- 15份报告/年
提供定制服务
- 产品拆除
- 电力电子产品产品拆除详细分析
- 权力流程流
- 工艺流程仿真(工艺步骤、刀具类型、材料)
- 个案处理的工作范围;与我们讨论定制选项
- 方案分析
- 详细封装分析，截面封装分析，SEM成像，SEM- eds材料分析
- 电气特性
- 传输特性(IDVG)，输出特性(IDVD)， RDSON，击穿电压
- 选择区电子衍射
- 基于TEM的基于GAN的外延层的SAED
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