2021年3月16日,
Jeongdong Choe博士先进的1 Gb 28 nm STT-MRAM产品来自Everspin Technologies
We’ve been waiting for a long time to see the technology details of Everspin’s new stand-alone 1-Gigabit (Gb) Spin Torque Transfer Magneto-resistive Random Access Memory (STT-MRAM) device with 28 nm process, which is the world’s first 1 Gb STT-MRAM product and Everspin’s 4th generation MRAM technology. Only except Intel and Micron XPoint Memory products, most of emerging memory devices such as MRAM, ReRAM and FeRAM are being developed and used for embedded non-volatile memory (eNVM) rather than discrete emerging memory chips.
Everspin和GlobalFoundries（GF）以来，自40纳米MRAM开发和制造过程以来一直是合作伙伴。现在我们，TechInsights，正在挖掘他们的28纳米1 GB STT-MRAM技术细节。从Everspin提取了从EMD4E001G16G2，最新和最高容量的独立STT-MRAM设备的1 GB STT-MRAM模具。ST-DDR4接口用于易于集成到存储，计算和网络应用程序中....
Jeongdong Choe博士，高级技术研究员
济东博士是TechInsights的高级技术研究员。他在DRAM，NAND / NOR闪存，SRAM /逻辑和新兴记忆中拥有近30年的半导体行业，R＆D和逆向工程经验。乐动篮球快讯他为SK Hynix和Samsung Electronics工作了20多年。他加入了TechInsights，并一直专注于半导体过程，装置和架构的技术分析。他在内存技术中写了许多文章，包括DRAM技术趋势，2D和3D NAND流程/设备集成细节，以及STT-MRAM，XPoint，Reram和Feram设计和架构等新兴内存。他季刊在DRAM，NAND和新兴记忆中产生了广泛的分布式内存路线图。
