发布时间：2017年7月24日
特约作者:Ray Fontaine
IISW 2017文件中涉及的第三个主题是我们在像素隔离结构中看到的趋势概述。这些结构对智能手机相机中的1.0μm至1.4μm的性能至关重要。展望未来，我们希望看到这些结构部署在其他成像应用中，以及子微米像素。
完整版的TechInsights纸将发布到国际战略研究所的网站8月。像往常一样，感谢IISW组织委员会给我们提供机会，并感谢我们才华横溢的实验室工作人员和生成基础数据的分析师。请继续关注-在图像传感器领域永远不会有沉闷的时刻!
像素隔离结构
在背光衬底上制作了各种各样的结构，以提供改进的电气和光学隔离。DTI工艺模块在工艺流程的早期(在有源器件形成之前)和后期(CIS模后细化后)都已实现。目前使用的大多数B-DTI结构都是用电介质填充的，包括各种高k薄膜。
在由STMicroelectronics [25]制造的HTC一个超像素相机芯片中，在2010年在2010年发现了用于后照射CI的第一个DTI结构[25]。这些早期的前型正面的DTI（F-DTI）结构是使用绝缘体的起始基板构建的。当前的后照射顺式芯片通常在后面稀释的EPI /散装基材上制造。
图3.索尼IMX260 - EXMOR RS与DBI技术平台
A.索尼
索尼首次观察到的DTI努力是2013年IMX147中发现的B-DTI结构[26]。B-DTI深入浸入2.8μm厚的基材中的约0.3μm，并用第一界面氧化物填充，然后用HFO，TaO，氧化物，Ti基衬里和W金属填充。该芯片是索尼的金属填充沟槽的唯一示例。到2015索尼切换到更深的电介质填充的B-DTI结构，包括薄界面氧化物，ALO，TAO和未掺杂的氧化物芯。
图。图3示出了来自1.4μm像素生成IMX260的最近介电填充的B-DTI结构，其具有2.9μm厚基板。B-DTI从后表面延伸到1.9μm的标称深度，尽管它在B-DTI交叉口深度延伸到2.4μm的深度。
图4.三星S5K3P3SX堆叠ISocell技术平台
b .三星
B-DTI和F-DTI结构已集成到三星的Isocell技术平台。迄今为止分析表明三星的偏好对于1.0μm像素生成异蜂窝和部分深度B-DTI的全深度F-DTI为1.12μm和1.4μm像素生成的异象壳结构。
来自三星的第一个观察到的B-DTI结构，在2015年的1.12μm像素生成芯片中实现，具有1.3μm深入2.6μm深基板的B-DTI沟槽。
图5所示。OmniVision OV16880 PureCel Plus-S技术平台
C. omnivision.
OmniVision通过其PureCel Plus-S技术平台引入了部分B-DTI结构，2016年分析[10]。该结构为1.0µm像素生成CIS，将0.45µm延伸至2.5µm厚的基底背面。该B-DTI沟槽填充材料包括界面氧化物、首先沉积的HfO、TaO、氧化物、ti基衬层和W型芯。到目前为止，这是OmniVision芯片上唯一观察到的DTI结构，也是自2013年索尼(Sony)的努力以来首个金属填充的B-DTI沟槽。
对高容量成像和新兴应用程序进行常规、简洁的分析
参考
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[3]尼康新闻稿，2011年9月。
“Aptina MT9J007C1HS 1200万像素(10.1万像素有效)CMOS图像传感器与DR-Pix™技术，来自尼康V1相机成像仪过程审查”，知识产权-1110-804,2011年12月。
[5]佳能EOS 650D新闻稿，Jun。2012。
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[7]“SONY IMX270，Micro四分之一，20.4MP分辨率，3.3μm像素间距，前照明的”Live Mos“CMOS图像传感器来自Olympus OM-D E-M1 Mark II MILC”，Def-1703-802，APR。2017年。
[8]富士州新闻稿，2013年1月。
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[10]“Omnivision OV16880,16MP分辨率，16MP分辨率，1.0μm像素间距堆叠（PureCel Plus-S）后照明CMOS图像传感器”，DEF-1606-804，2016年8月。
[11]索尼Xperia Z5产品页面，2015年10月。
[12]佳能EOS 70D新闻稿，JUL。2013。
[13]三星新闻稿，2016年3月。
[14] " Samsung S5K2L1, 1/2.6 "格式，12mp分辨率，1.4 μm像素间距背光堆叠ISOCELL CMOS图像传感器，三星Galaxy S7(型号SM-G930FD) "， DEF-1603-804, 2016年4月。
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[26] " Sony Cyber-shot HX300 Digital Compact Camera IMX147 2000 MP, 1.2 μm Pixel Pitch Back Illuminated (Exmor R) CMOS图像传感器"，知识产权-1307-801,2013年9月。
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