英特尔第二代XPoint内存

在这里，我们有英特尔2^nd根本。XPoint Memory Die！

最后，我们找到了英特尔Xpoint.^TM第二代内存死！我们已经快速查看了从英特尔OptaneTM SSD DC P5800X 400GB(型号: SSDPF21Q400GB) which consists of eight storage devices, package markings with 29P64B14MDSG1, and just confirmed on it, with 4-stack XPoint memory layers which is effectively 1F2 cell structure.

新兴内存技术规范

去年年底，英特尔宣布了Optane SSD P5800X的规格，包括外形因素(U.2和E1.S)，接口(PCIe 4.0 1×4, 2×2, NVMe 1.3d)， ASIC/CPU(单核1.1 GHz ARM Cortex R7)，读写性能(7.4GB/s SR和SW, 1.5M IOPS R4KR和R4KW)和续航能力(100 DWPD)，然而，这是第一次检查新的单元结构与4堆栈PCM/OTS集成。

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嵌入式和新兴内存主题专家一致认为，英特尔2^ndXPoint内存产品展示了可扩展的系统设计应用，如:

• 数据中心
• 云服务
• 实时计算
• 3D打印
• 三维建模

英特尔2^ndgen. XPoint模具成像

29p64b14mdsg1是双模（双芯片）封装的64gb设备。英特尔的1^圣根本。用于Optane 800P，900P，DC P4800X，H10和DCPMM的设备具有单片32GB封装。2上的粘接垫的数量^nd死亡人数增加到85人。S26A芯片显示256gb /芯片和1.31 Gb/mm²密度是1的两倍^圣根本。XPoint Memory Die。图1显示了256GB模具（顶部金属视图）图像及其模具标记，以与之前的128GB模具进行比较。

(a): Intel XPoint内存 圣将军128 gb的死

(b): Intel XPoint内存2 nd将军256 gb的死

图1所示。模具图像(顶部金属视图)和模具标记;Intel XPoint内存(a^圣一般vs. (b^nd根本。

英特尔2^nd根本。xpoint存储器单元结构

WL和BL间距各为40nm，单位细胞大小相同，0.0016µm²，1^圣的一代。4堆叠PCM/OTS层结构，有效1F²，集成在M4层上，可能与WL/BL/WL/BL/WL堆叠。Ovonic阈值切换选择器(OTS)与器件的PCM层协同集成，这与XPoint 1是相同的元素^圣的一代。钨(W) WL和BL层由多次沉积、光刻/蚀刻和CMP工艺组成，这可能需要多于8个掩模用于4堆栈存储单元结构。图2显示了2-stack (1^圣和4堆栈(2^ndGen。）单元阵列结构（SEM X-Section）。

(a): Intel XPoint内存^圣堆叠单元结构

(b): Intel XPoint内存2^nd堆栈单元结构

图2。Intel XPoint存储单元结构(SEM x断面);(一)1^圣根本。2堆叠（2F²2 .选b^nd将军4-stack (1 f²）

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