三星Galaxy S8拆卸(SM-G950W)

发布时间:2017年4月7日,更新时间:2017年4月25日

我们很兴奋地宣布Galaxy S8已经上市。我们的博客详细介绍了拆卸的发现,包括成本观察、10nm LPE工艺的验证、高通WTR5975千兆LTE收发器和信封跟踪电源的评论、前后摄像头的信息、设计获奖名单等等。我们鼓励你滚动浏览,看看我们发现的所有东西。

Galaxy S8成本观测

我们分析的64gb三星Galaxy S8 (SM-G950W)的快速周转估计销售成本(COGS)为309.50美元。这是一个快速的转弯,可能会有一点不同的估计,一旦我们做了我们的全面深入拆卸。相比之下,我们在2017年2月发布的32gb三星Galaxy S7 (SM-G930V)的COGS估计为243美元。如果我们将内存标准化为64GB,那么使用今天的NAND Flash数据,这个估计将上升到257美元。

虽然三星Galaxy S8是Galaxy S7的顺理成章的继承者,但它实际上更多的是我们在2017年2月发布的失败的Galaxy Note 7的更新。根据当时的市场价值数据,我们公布的销货成本估计约为270美元。

成本动因:

此比较将主要在Galaxy S7和Galaxy S8之间,必要时具有次要异常。

A11仿生应用处理器

三星Galaxy S8 SM-G950W 三星Galaxy S7 SM-G930V
应用处理器/调制解调器 60.50美元 40.00美元
电池 4.50美元 3.50美元
连通性和传感器 15.00美元 12.50美元
相机 $ 29.00 24.50美元
显示 67.00美元 47.00美元
内存 42.50美元 28.00美元
混合信号/射频 22.50美元 21.00美元
电源管理/音频 9.50美元 9.00美元
其他电子产品 22.00美元 19.50美元
参加者/外壳 21.00美元 18.00美元
测试/组装/支持材料 20.00美元 20.00美元
总计 313.50美元 243.00美元

应用程序/基带处理器:Galaxy S7出货时使用的是基于14nm工艺的高通骁龙820四核MSM8996。这是一个成熟的部分,在15个月前第一次被看到。我们最新的成本估计大约是40美元。第一次观察时,我们的成本估计约为57美元。这种价格侵蚀来自于通常的成本节约措施和利润压缩。Galaxy S8搭载了基于三星10nm FinFET工艺的高通骁龙835八核MSM8998。这是我们观察到的第一个产品,它的估价是60.5美元。它明显高于当前估计的MSM8996,但只略微高于发布价格的估计。

相机/图片:Galaxy S7和Galaxy S8都有类似的双像素OIS 1200万像素后置摄像头。Galaxy S8的前置摄像头从Galaxy S7的500万像素提升至800万像素。三星还增加了一个虹膜扫描摄像头,这在Note 7上可以看到,而Galaxy S7上没有。因此,经过改进的前置摄像头和新增的虹膜扫描摄像头,我们可以看到这类产品的价格上涨了5.50美元。

连通性:我们看到2美元的连接跳跃,主要是由于新的尖端Murata WiFi /蓝牙模块。这是第一个雇用蓝牙5.0 le的le。

显示/触屏:新的5.8“,2960x1440四峰值+ SuperAmoled Display是一个野兽。与Galaxy S7和Galaxy Note 7相比,它增加了400行的高度它还拥有内置的家庭关键力触摸传感器。我们的快速转向估计此显示器为67.00美元。这与$ 55和Galaxy S7的纸张7比较了47美元。与注释7相比的主要成本因素是附加像素和四峰像素技术。Galaxy S7真的比较较小,因为它较小并且具有平边缘。

记忆:NAND闪存非易失性存储器在2017年第一季度经历了价格的大幅上涨。由于时间的原因,Galaxy S7和Note 7的价格都没有上涨,因为它刚刚开始上升。在Galaxy S7中,我们看到了三星32GB MLC NAND闪存部件,当时估计售价为7.5美元。如果我们把它换成64GB的三星MLC NAND部件,我们目前大约需要21美元。现在,Galaxy S8使用了一个东芝64gb的部件,由于它不是内部制造的,我们估计三星要花24美元购买它,因此非易失性内存有所不同。

另一方面,另一方面的挥发性记忆一直在下降,所以我们预计Samsung在他们的星系S8中使用的4GB LPDDR4X内存比我们在S7的估计上有点便宜。在这种情况下,它从大约20美元到18.50美元。

非电子产品:Galaxy S8的主要外壳更类似于Note 7,在21美元的价格上与Note 7不相上下。Galaxy 7由于体积小且制造方式不同,其零部件价格约为18美元。

RF组件:Galaxy S7采用了两个高通射频收发器部件,WTR3925和WTR4905。在Galaxy S8上,他们只使用了WTR5975,但是Galaxy S7上的两个部件加了大约5.50美元,而WTR5975更大的模具和更高的功能要贵约2.50美元,约8.00美元!

注册即可获得一份免费的三星Galaxy S8拆卸报告

高通Snapdragon 835

高通Snapdragon 835

高通Snapdragon 835

Qualcomm Snapdragon 835应用程序处理器被确认为基于三星的10 nm LPE过程。我们能够确认68 nm接触式闸板间距,具有虚拟聚多单分散断裂(SDB)能力。一旦我们的功能块分析调查了特定的布局特征,我们希望使用横截面难以确定最小BEOL音高,但我们希望发现公开发布的48nm音高为最小值。

总的来说,该工艺类似于三星的14LPE和14LPP工艺,具有双浅沟槽隔离(STI)和额外的处理,以实现虚拟多聚SDB。接触次数被简化为单一级别,以避免口罩数量的大量增加。虽然栅极具有介电帽,而且似乎具有自对准接触能力,但初始截面并没有显示出栅极帽的使用情况。

更新!首先进入10nm产品化的是Qualcomm Snapdragon 835,它基于三星LSI Foundry的10nm LPE技术。在我们的10nm博客上查看更多。

WTR5975显示重新分配层(RDL)

WTR5975显示重新分配层(RDL)

收发器和信封跟踪电源

S8包含了我们为新的第一个移动电话设计胜利高通WTR5975千兆LTE收发器,以及新的QET4100信封跟踪电源。我们首先在一个移动LTE加密狗中观察到了WTR5975。

WTR5975是Snapdragon 835系列的成员。它是世界上第一个单芯片RF IC支持千兆类LTE,LTE-U和LAA,具有5 GHz未经许可的乐队支持。它支持高达4倍的下行链路CA,2x上行CA,所有3GPP批准的乐队,包括3.5 GHz带42和43,在单个收发器芯片中,4x4 MIMO,显着降低了支持高级CA和MIMO配置所需的占地面积。

WTR5975现在就在我们的实验室里,因为我们已经在全面生产中提取了发射和接收路径上的电路设计。现在我们有了新的QET4100,我们将开始生产这个设备的全芯片电路分析。如欲了解更多信息,请与我们联系我们的产品简介副本WTR5975和Qet4100

WTR5975.
WTR5975.
WTR5975.
WTR5975.
wi - fi和蓝牙

wi - fi和蓝牙

wi - fi和蓝牙

我们现在解密了村田Wi-Fi模块KM7206044。在内部,我们发现了Broadcom BCM4361 SoC和其他一些死亡。BCM4361很可能是集成了Wi-Fi和蓝牙5.0的单片SoC。

日本村田公司的无线模块
Broadcom BCM4361无线组合SoC
Broadcom BCM4361无线组合SOC模具标记
Broadcom BCM4361无线Combo SoC芯片照片
前置摄像头

前置摄像头

前置摄像头

我们的实验室工作人员完成了带有自动对焦和虹膜扫描仪的800万像素自拍相机的初步分析,共封装在12.5 mm x 11.3 mm x 5.1 mm厚的组件中。

这款G950W的自拍相机来自索尼。索尼通常不会在其背光小像素移动图像传感器芯片上使用传统的模具标记,但零件号已经使用据报道是IMX320.IMX320是堆叠(Exmor RS) CMOS图像传感器(CIS),模块尺寸为4.07 mm × 4.82 mm (19.6 mm)2),像素间距为1.12µm。我们的初步发现表明,它是一个传统的背光(Exmor R)芯片,但我们还需要做更多的工作来了解它是否是一个具有直接键合互连(DBI)的堆叠(Exmor RS)芯片。

前置摄像头
前置摄像头
前置摄像头
前置摄像头
前置摄像头
虹膜扫描仪

虹膜扫描仪

IRIS扫描仪芯片在采用新包装时,我们在Galaxy注释中找到了同一芯片7.虹膜扫描仪模具有“S5K5E6YV”的模糊标记,尽管有一些内部辩论,以及事实上的“v”是否可能一个“你”。无论如何,模具标记与注释7的虹膜扫描仪相同。该芯片是单片(非堆叠)背照明的顺式,具有4.63 mm x 3.55 mm(16.4毫米2)芯片尺寸和1.12μm的像素间距。我们的现成提供了其他详细信息设备Essentials图像集和摘要报告(DEF-1609-801)

随着实验室的结果出来,我们会跟进后置摄像头的最新进展。

虹膜扫描仪
虹膜扫描仪
后置摄像头

后置摄像头

后置摄像头

星系S8和Galaxy S8 +都不是双后相机。现在,这让我们很高兴,因为它更容易估算主要摄像头的成本,但三星绝对在地上将“旗帜”与这些旗舰一起放在地上,而不是追随苹果和华为下来的双摄像头路径。从三星的最终材料费用中缺少后部'宽'角度相机剃须了12.50美元。

SM-G950W后置摄像头模块的厚度为11.3 mm × 11.3 mm × 5.5 mm。它包含一个堆叠的、背光的(Exmor RS)索尼模具,模具尺寸为5.64 mm x 6.76 mm (38.1 mm2)。虽然这与Galaxy S7的索尼IMX260的模具尺寸相匹配,但我们确实在模具层面上看到了一些细微的差异。每一个SamMobile帖子,这应该是索尼IMX333。我们预期它将类似于IMX260,但将在执行更多的分析,以检查此12 MP的任何新定制,1.4 MP双像素CI。

我们还希望尽快收到更多地区的Galaxy S8手机,其中应包含三星S5K2L2(后摄像头)和S5K3H1(前摄像机)变体。这些详细信息将通过我们的图像传感器订阅服务发布。

后置摄像头
后置摄像头
后置摄像头
后置摄像头
后置摄像头
后置摄像头

Skyworks 2G Sky77365功率放大器模块

尽管AT&T宣布关闭其2G蜂窝网络,但Galaxy S8 SM-G950W中出现的Skyworks单独的2G RF PAM表明,手机oem仍然有很多兴趣和需求来构建支持传统网络频带的设备。即使美国其他手机运营商效仿AT&T,关闭自己的2G网络,2G手机在英国和许多欧洲国家(如法国和德国)仍将保持活跃状态,直到2022年。

问题是为什么单独的功率放大器?我们向我们的内部RF主题专家,Tareq Salim,他的追随是:“…其他多模式,多波段PAMs使用的放大器不是最佳的工作与本地2G GMSK[高斯最小移位键控]。GMSK的关键成功因素是拥有固定的增益,而Skyworks的SKY77365就做到了这一点。”

LPS22HB

惯性,压力和陀螺仪传感器

惯性,压力和陀螺仪传感器

到目前为止,我们在S8中观察了S8中的STMicroelectronics传感器的几个胜利,以LPS22HB压力传感器位于主图像传感器下方。

我们还看到了具有部件号K2G2的光学图像稳定(OIS)陀螺仪。

惯性传感器槽也属于意法半导体,与LSM6Dl 6轴惯性传感器一起,位于主摄像头的后面和下方,在相反的一侧,旁边是全新的NXP PN80T NFC控制器。

这个NFC设备对我们来说是新的,并将尽快进入实验室。鉴于我们已经分析了每一代NXP NFC设备,当然我们也将研究这个,寻找创新。

LPS22HB
LPS22HB
恩智浦
恩智浦
恩智浦
恩智浦
NXP PN80T NFC控制器PN553模具标记

NXP PN80T

NFC

我们现在解密了新的NXP PN80T NFC IC。在封装中,我们发现了两个模具:一个新设计的PN553 NFC控制器和一个安全元件控制器(可能是SmartMx)。根据恩智浦,安全元件是一个40纳米晶圆晶圆模。此外,对这两款NXP新产品的进一步分析即将出炉。

NXP PN80T NFC控制器PN553模具标记
NXP PN80T NFC控制器PN553模具照片
NXP PN80T安全元件模具标记
NXP PN80T安全元件模具照片
力触和指纹传感器

力触摸和指纹传感 - 不同的解决方案

无限显示器的边缘到边缘,略微的观看空间意味着物理主页的珍贵房地产不再可用。在这里,三星通过设计Galaxy S8和带有力触摸解决方案的Galaxy S8 +来遵循其两个竞争对手,(3D触摸,如果您是Apple Fan)。在这两部手机上,力触摸被限制在特定的位置,右边是物理归属密钥所在的位置。

Galaxy S8和Galaxy S8+都在我们的实验室里,我们可以观察到,虽然位置相同,但两款手机的力触控解决方案是不同的。在Galaxy S8中,三星使用了自己的力触控元件。而Galaxy S8+则采用了意法半导体(STMicroelectronics)的指纹和力触控芯片手指提示产品系列

如果没有使用单独的主键/指纹传感器组件获得任何成本节省,则较大的面板和更多的Infinity显示器的像素仍然导致更高的成本。星系S8成本分别比Galaxy S7和Galaxy Note 7高约40%和20%。

板镜头和部件

三星Galaxy S8主板

三星Galaxy S8主板

三星Galaxy S8平板前端
三星Galaxy S8板后面

让我们来看看我们迄今为止发现的东西。以上是印刷电路板(PCB)的正面和背面的图片,从中我们可以识别出以下部分:

制造商 零件号 函数
Qualcomm MSM8998 应用程序处理器
三星 K3UH5H50MM-NGCJ. 4 GB LPDDR4X.
三星 S6SY761X 触摸屏控制器
三星 S5C73C3 图像处理器
Qualcomm WTR5975. 射频收发器
Qualcomm PM8998 PMIC
Qualcomm PM8005 PMIC
格言 MAX77838 PMIC
三星 S2MPB02 PMIC
博通公司 afem - 9053 功率放大器
博通公司 afem - 9066 功率放大器
Skyworks sky78160-11 功率放大器
Skyworks SKY77365 2 g功率放大器
东芝 thgbf7g9l4lbatr. 64 GB通用闪存存储
Qualcomm QET4100 包络跟踪电源
Qualcomm WCD9341 音频编解码器
格言 MAX98506BEWV 音频放大器
恩智浦 PN80T. NFC控制器
意法半导体 LPS22HB 气压计
意法半导体 K2G2IS OIS陀螺仪
意法半导体 lsm6dl. 6轴惯性传感器
意法半导体 FGBCH80DP 指尖触屏控制器
诺尔斯 SPH0644LM4H-1 麦克风

不要错过TechInsights的另一个更新。

我们所有的最新内容更新发送给您一个月几次。