DRAM内存技术颠覆性产品：第一台DDR5 DIMM的技术节点是什么?
DDR5是新一代的内存!所有主要的DRAM厂商都在向更快的DRAM DDR5迈进。DDR5也改善了电源管理(DDR4为1.1V vs. 1.2V)。已确定DDR5内存条产品之一，具有技术节点、模具设计、工艺技术。TeamGroup发布了ELITE 16GB DDR5 U-DIMM，其中JEDEC DDR5 on-die ECC是DDR5的主要特性。该U-DIMM共封装了8台DDR5设备，是美光公司首批商业化的DDR5产品之一。带有FBGA代码的DDR5设备D8BNJ，即MT60B2G8HB-48B:A，其中有一个16Gb的DDR5芯片。该设备和模具是我们发现的第一个DDR5产品到目前为止。有什么新的模具，他们使用了什么技术节点?
TechInsights的NAND & DRAM内存专家一致认为，美光DDR5显示了广泛的系统设计应用，如:
- 高速、高容量的移动处理
- 5G网络和数据访问
- 增强现实（AR）
- 虚拟现实(VR)
- 人工智能
- 机器学习
下载美光DDR5产品简介
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早期美光DDR5电路和模具级成像
图1. Teamgroup Elite 32GB（2x16GB）DDR5 U-DIMM套件，带微米DDR5器件
美光领先市场的器件规格
DDR5 DRAM产品支持4,800-5,600 Mbps的传输速率，比今天的DDR4内存快得多。DDR5的工作电压也从DDR4的1.2V降低，在1.1V的工作电压下，用户的功耗降低了20%。用于TeamGroup ELITE DDR5 U-DIMM的Micron D1z DDR5 16Gb芯片，支持4800hz频率，CL40-40-40-77延迟，数据传输带宽38400 MB/s，是DDR4的两倍。
在快速查看了模具和它的技术之后，我们刚刚找到了它的技术节点，美光的D1z。Micron 16Gb D1z DDR5模具与Y32A模具标记，显示0.241 Gb/mm2比特密度，略低于Micron 16Gb D1z DDR4芯片(0.247 Gb//mm2）。与以前的DDR4相比，例如，来自微米的DDR4-3200（关键RDIMM 64GBMTA36ASF8G72PZ），带宽更高，时钟速率越高，具有新功率架构的较低功率是主要的变化（表1）。
| DDR型 | DDR4-3200. | ddr5 - 4800 |
|---|---|---|
| 父产品交货。 | 关键RDIMM 64 gb MTA36ASF8G72PZ |
TeamGroup精英16 gb DDR5 U-DIMM |
| 设备制造商 | 微米 | 微米 |
| 设备EX。 | DDR4. MT40A4G4JC-062E：E |
DDR5. MT60B2G8HB-48B: |
| VDD (VDDQ) | 1.2 V. | 1.1 V |
| 带宽 | 25.6 GB / s | 38.4 GB / s |
| 潜伏 | CL 22. | CL 40 |
| 模糊标记 | Z32D | Y32A |
| 电池设计 （技术节点） |
D1z | D1z |
| 死的能力 | 16 Gb | 16 Gb |
| 位密度 | 0.247 Gb /毫米2 | 0.241 Gb /毫米2 |
表1.器件特性和芯片密度的比较，微米DDR4-3200与DDR5-4800
图2. Micron DDR5 16GB模具和模具标记
第一个支持DDR5内存产品的DDR5芯片Y32A采用了16Gb芯片，采用了基于d1z的DRAM单元设计。由于D1z(而不是D1α)的使用，模具密度没有从DDR4增加。下一代DDR5产品将采用D1α等更先进的节点，进一步提高功率效率和模具密度。我们将深入研究这个新的DDR5设备和技术，特别是外围设计、电路和晶体管特性。
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