发布时间:2017年4月7日,更新时间:2017年4月25日
我们很高兴地宣布收到Galaxy S8。我们的博客详情拆除调查结果包括成本观察,验证了10nm LPE过程,Qualcomm Wtr5975千兆LTE收发器和信封跟踪电源的评论,在后面和前面面向相机的信息一系列设计胜利,还有更多。我们鼓励您滚动才能看到我们未覆盖的一切。
Galaxy S8成本观察
我们分析的64 GB三星Galaxy S8(SM-G950W)的快速转弯估计的商品成本(COG)为309.50美元。一旦我们完成了我们的全面深深的潜水,这一旦我们的全面深深潜入它,这种快速转弯可能会有点不同。相比之下,我们在2017年2月发布的32 GB三星Galaxy S7(SM-G930V)的估计齿轮243.00美元。如果我们将内存标准化为64GB,则使用当今的NAND闪存编号,此估计值高达257.00美元。
虽然三星Galaxy S8是Galaxy S7的逻辑继任者,但它真的更新到未失败的Galaxy Note 7,我们在2017年2月的返回中发布的更新。我们已发表的Cogs估计数约为270美元,使用市场价值数据时间。
付费司机:
此比较将主要在Galaxy S7和Galaxy S8之间,必要时具有次要异常。
三星Galaxy S8 SM-G950W | 三星Galaxy S7 SM-G930V | |
---|---|---|
应用处理器/调制解调器 | 60.50美元 | $ 40.00 |
电池 | 4.50美元 | 3.50美元 |
连接和传感器 | 15美元 | 12.50美元 |
相机 | $ 29.00 | 24.50美元 |
显示 | 67.00美元 | 47.00美元 |
记忆 | 42.50美元 | $ 28.00 |
混合信号/射频 | 22.50美元 | 21.00美元 |
电源管理/音频 | 9.50美元 | $ 9.00 |
其他电子产品 | 22.00美元 | 19.50美元 |
机械/外壳 | 21.00美元 | 18.00美元 |
测试/装配/配套材料 | 20.00美元 | 20.00美元 |
全部的 | 313.50美元 | $ 243.00 |
应用程序/基带处理器:Galaxy S7使用高Quad-Core MSM8996在14nm过程中运输。这是一部分成熟的部分,先前已经过了大约15个月。我们最近的费用估计约为40美元。第一次观察到时,我们的成本估计数约为57美元。这个价格侵蚀来自正常的成本节约措施和保证金压缩。Galaxy S8是用新的Qualcomm Snapdragon 835 octo-Core MSM8998运送,内置在三星10nm FinFET过程中。这是我们观察到它的第一个产品,估计价格为60.50美元。它显着高于MSM8996的当前估计,但仅比发射价格估算略微高。
相机/图像:Galaxy S7和Galaxy S8都具有可比双像素OIS 12百万像素后摄像头。Galaxy S8上的前置摄像头从Galaxy S7上的500万像素改善到800万像素。三星还添加了一个在不在Galaxy S7上的注释7上看到的虹膜扫描仪相机。因此,在改进的前置摄像头之间和添加虹膜扫描仪相机之间,我们在此类别中看到了5.50美元的跳跃。
连接:我们看到2美元的连接跳跃,主要是由于新的尖端Murata WiFi /蓝牙模块。这是第一个雇用蓝牙5.0 le的le。
显示/触屏:新的5.8“,2960x1440四峰值+ SuperAmoled Display是一个野兽。与Galaxy S7和Galaxy Note 7相比,它增加了400行的高度(576,000个像素总量)。如注释7,在Galaxy S7平坦时,它是双边缘显示。它还拥有内置的家庭关键力触摸传感器。我们的快速转向估计此显示器为67.00美元。这与$ 55和Galaxy S7的纸张7比较了47美元。与注释7相比的主要成本因素是附加像素和四峰像素技术。Galaxy S7真的比较较小,因为它较小并且具有平边缘。
记忆:NAND闪存非易失性存储器在2017年第一季度经历了价格的大幅上涨。由于时间的原因,无论是Galaxy S7还是Note 7的售价都没有体现出这一点,因为它刚刚开始上升。在Galaxy S7中,我们看到了三星32GB MLC NAND闪存部件,当时估计价格为7.5美元。如果换成64GB的三星MLC NAND部件,目前的价格大约是21美元。现在,盖乐世S8采用了东芝64gb的部件,由于它不是内部制造的,我们估计三星购买它的成本为24美元,因此在非易失性内存方面存在差异。
另一方面,另一方面的挥发性记忆一直在下降,所以我们预计Samsung在他们的星系S8中使用的4GB LPDDR4X内存比我们在S7的估计上有点便宜。在这种情况下,它从大约20美元到18.50美元。
非电子产品:Galaxy S8中的主要壳体与注释7更类似于注释7,并且在21美元的费用方面与注释7表示。由于较小和不同,Galaxy 7的零件约为18美元。
RF组件:Galaxy S7采用了两个高Qualcomm RF收发器部件,WTR3925和WTR4905。在Galaxy S8中,他们只采用了WTR5975,而且银河系S7中的两部分增加到约5.50美元,而WTR5975的更大的模具和更高的功能大约在8.00美元上的价格约为2.50美元!
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Qualcomm Snapdragon 835.
Qualcomm Snapdragon 835应用程序处理器被确认为基于三星的10 nm LPE过程。我们能够确认68 nm接触式闸板间距,具有虚拟聚多单分散断裂(SDB)能力。一旦我们的功能块分析调查了特定的布局特征,我们希望使用横截面难以确定最小BEOL音高,但我们希望发现公开发布的48nm音高为最小值。
总的来说,该过程似乎类似于三星的14LPE和14LPP进程,具有双浅沟槽隔离(STI)和额外的处理,以使虚拟POTY SDB能够。触点已被简化为单个级别,以避免掩模计数的大幅增加。虽然栅极具有介电帽,并且似乎是自对准接触的能力,但是初始横截面不显示很多,如果有的话,栅极帽的使用。
更新!首先是10 NM生产终点线是Qualcomm Snapdragon 835,建于三星LSI铸造的10 NM LPE技术。在我们的10纳米博客上查看更多。
收发器和信封跟踪电源
S8包含了我们为新的第一个移动电话设计胜利Qualcomm WTR5975千兆LTE收发器,以及新的QET4100信封跟踪电源。我们首先在一个移动LTE加密狗中观察到WTR5975。
WTR5975是Snapdragon 835系列的成员。它是世界上第一个单芯片RF IC支持千兆类LTE,LTE-U和LAA,具有5 GHz未经许可的乐队支持。它支持高达4倍的下行链路CA,2x上行CA,所有3GPP批准的乐队,包括3.5 GHz带42和43,在单个收发器芯片中,4x4 MIMO,显着降低了支持高级CA和MIMO配置所需的占地面积。
WTR5975目前在我们的实验室中,我们一直处于完整的生产中提取了传输和接收路径的电路设计。现在我们有新的Qet4100,我们也将开始生产该设备的全芯片电路分析。请联系我们获取更多信息和我们的产品简介副本WTR5975和Qet4100。
前置摄像头
我们的实验室工作人员完成了对这款带有自动对焦和虹膜扫描仪的800万像素自拍相机的初步分析,这款相机由12.5毫米x 11.3毫米x 5.1毫米厚的组件组成。
这款G950W型号的自拍相机来自索尼。索尼通常不会在其背光小像素移动图像传感器芯片上使用传统的模具标记,但部件编号一直是据报道是IMX320。IMX320是堆叠(EXMOR RS)CMOS图像传感器(CIS),芯片尺寸为4.07 mm x 4.82 mm(19.6 mm2),像素间距为1.12µm。我们的初步发现表明它是一个传统的背光(Exmor R)芯片,但我们将做更多的工作来了解它是否是一个堆叠(Exmor RS)芯片与直接键互连(DBI)。
IRIS扫描仪芯片在采用新包装时,我们在Galaxy注释中找到了同一芯片7.虹膜扫描仪模具有“S5K5E6YV”的模糊标记,尽管有一些内部辩论,以及事实上的“v”是否可能一个“你”。无论如何,模具标记与注释7的虹膜扫描仪相同。该芯片是单片(非堆叠)背照明的顺式,具有4.63 mm x 3.55 mm(16.4毫米2)芯片尺寸和1.12μm的像素间距。我们的现成提供了其他详细信息设备Essentials图像集和摘要报告(DEF-1609-801)。
我们将在我们的实验室中进入后面的相机上赶上更新。
后置摄像头
星系S8和Galaxy S8 +都不是双后相机。现在,这让我们很高兴,因为它更容易估算主要摄像头的成本,但三星绝对在地上将“旗帜”与这些旗舰一起放在地上,而不是追随苹果和华为下来的双摄像头路径。从三星的最终材料费用中缺少后部'宽'角度相机剃须了12.50美元。
SM-G950W后置相机模块为11.3毫米11.3毫米x 5.5毫米厚。它包含一个堆叠的后照(Exmor RS)索尼模具,芯片尺寸为5.64 mm x 6.76 mm(38.1 mm2)。虽然这与Galaxy S7的索尼IMX260的芯片尺寸相匹配,但我们确实看到了模具水平的一些微小差异。根据A.Sammobile Post.,这应该是索尼IMX333。我们预期它将类似于IMX260,但将在执行更多的分析,以检查此12 MP的任何新定制,1.4 MP双像素CI。
我们还希望尽快收到更多地区的Galaxy S8手机,其中应包含三星S5K2L2(后摄像头)和S5K3H1(前摄像机)变体。这些详细信息将通过我们的图像传感器订阅服务发布。
Skyworks 2G Sky77365功率放大器模块
虽然AT&T宣布了他们的2G蜂窝网络的关闭,但在Galaxy S8 SM-G950W中发现了一个单独的SkyWorks 2G RF PAM的外观是证据仍然有很多兴趣,需要手机OEM来构建支持传统网络乐队的设备。即使其他美国蜂窝载体遵循AT&T并关闭自己的2G网络,2G蜂窝在英国和许多欧洲国家,如法国和德国,直到2022年。
问题是为什么单独的功率放大器?我们向我们的内部RF主题专家,Tareq Salim,他的追随是:“…另一种多模式、多频带PAMs使用的放大器与本地2G GMSK[高斯最小移位键控]不匹配。GMSK的关键成功因素是拥有固定的增益,Skyworks SKY77365实现了这一点。”
NFC.
我们现在已经对NXP PN80T NFC芯片进行了解码,在封装中发现了两个芯片:一个新设计的PN553 NFC控制器和一个安全元件控制器(可能是SmartMx)。根据恩智浦,安全元件是一个40纳米fabbed模具。此外,对这两种新型NXP芯片的进一步分析也将陆续出炉。
力触摸和指纹传感 - 不同的解决方案
无限显示器的边缘到边缘,略微的观看空间意味着物理主页的珍贵房地产不再可用。在这里,三星通过设计Galaxy S8和带有力触摸解决方案的Galaxy S8 +来遵循其两个竞争对手,(3D触摸,如果您是Apple Fan)。在这两部手机上,力触摸被限制在特定的位置,右边是物理归属密钥所在的位置。
通过我们的实验室中的Galaxy S8和Galaxy S8 +,我们能够观察到,而该位置相同,两部手机之间的力触摸解决方案是不同的。在Galaxy S8中,三星使用自己的力触摸组件。然而,Galaxy S8 +采用了STMicroelectronics指纹和力量触摸传感芯片手指提示产品系列。
如果没有使用单独的主键/指纹传感器组件获得任何成本节省,则较大的面板和更多的Infinity显示器的像素仍然导致更高的成本。星系S8成本分别比Galaxy S7和Galaxy Note 7高约40%和20%。
单板照片和部件
以下是迄今为止未发现的东西。上面是印刷电路板(PCB)的正面和背面的图像,我们从中识别以下部分:
制造商 | 零件号 | 函数 |
---|---|---|
Qualcomm. | MSM8998 | 应用处理器 |
三星 | K3UH5H50MM-NGCJ. | 4 GB LPDDR4X. |
三星 | S6SY761X | 触摸屏控制器 |
三星 | S5C73C3 | 图像处理器 |
Qualcomm. | WTR5975. | 射频收发器 |
Qualcomm. | PM8998. | PMIC. |
Qualcomm. | PM8005 | PMIC. |
格言 | MAX77838. | PMIC. |
三星 | S2MPB02 | PMIC. |
博通公司 | AFEM-9053. | 功率放大器 |
博通公司 | AFEM-9066. | 功率放大器 |
斯威斯劳斯 | sky78160-11 | 功率放大器 |
斯威斯劳斯 | SKY77365 | 2 g功率放大器 |
东芝 | thgbf7g9l4lbatr. | 64 GB通用闪存存储 |
Qualcomm. | Qet4100. | 信封跟踪电源 |
Qualcomm. | WCD9341 | 音频编解码器 |
格言 | MAX98506BEWV | 音频放大器 |
恩智浦 | PN80T. | NFC控制器 |
STMicroelectronics. | LPS22HB. | 气压计 |
STMicroelectronics. | K2G2IS | OIS陀螺仪 |
STMicroelectronics. | lsm6dl. | 6轴惯性传感器 |
STMicroelectronics. | FGBCH80DP. | 指尖触屏控制器 |
知识闻 | SPH0644LM4H-1 | 麦克风 |