联系我们 产品代码 TCR-2102-801 发布日期 可利用性 在创造中 产品项目代码 SAM-K3LK4K40CM-BGCP型 设备制造商 三星 设备类型 LPDDR5型 订阅 内存-NAND和DRAM 渠道 存储器dramswd和SA晶体管特性 报表代码 TCR-2102-801 •使用三星新的D1z技术节点•应用EUVL的BLP（SNLP）•位密度为0.273 Gb/mm2 你需要的记忆分析 巨大的前期研发投资要求客户拥有最新、准确的竞争情报。首先找出在制定产品战略时遇到的挑战。 了解更多 搜索我们的分析和网站 今天就开始搜索我们的图书馆 提交 相关分析 制造商 分析类型 订阅频道 三星D1x 4 Gb LPDDR4X内存布局分析 三星 平面布置图 内存DRAM平面图分析 Micron Gen2 D1y 8 Gb GDDR6内存布局分析 微米技术 平面布置图 内存DRAM平面图分析 MXIC 19nm SLC NAND闪存布局分析 旺宏 平面布置图 内存-NAND平面图分析 三星128L NAND芯片（K9AFGD8U0C）工艺流程分析 三星 电路 内存-进程流分析 三星128L NAND芯片（K9AFGD8U0C）工艺流程完整 三星 过程 内存-进程流分析 三星第二代HBM2 8GB TSV芯片内存布局分析 三星 平面布置图 内存DRAM平面图分析 三星12 Gb 1z EUV LPDDR5工艺流程分析 三星 过程 内存-进程流分析 三星12 Gb 1z EUV LPDDR5内存布局分析 三星 平面布置图 内存DRAM平面图分析 三星12 Gb 1z EUV LPDDR5高级内存精华 三星 过程 内存-进程 三星12 Gb 1z EUV LPDDR5晶体管特性 三星 功能测试 存储器dramswd和SA晶体管特性
