东芝TW070J120B 1200 V碳化硅（SIC）功率要领

本报告提出了基于东芝TW070J120B碳化硅（SIC）的功率FET的功率要点（PEF）分析。TW070J120B是一个1200 V N沟道增强模式MOSFET，具有集成的肖特基势垒二极管（SBD）。完整的PEF可交付包含的观察设备指标和突出功能的单页摘要包括以下UNANNotated Image文件夹的支持：

• 包光学照片，封装X射线图像，模具照片，模具功能的光学照片
• 扫描电子显微镜（SEM）延迟到栅极电平的设备的平面图图像
• 探索性截面平面图 - 器件结构的SEM图像
• 详细的横截面扫描微波阻抗显微镜（SMIM）分析掺杂剂结构
• 标准PEF项目设置的图像设置为SEM平面分析的延迟样品，用于SEM结构分析的单个横截面，以及用于详细结构分析的单个SMIM样品。值添加信息（如额外的横截面）可以在逐个案例的基础上包含
  

可交付的权力要点提供基本的竞争基准信息，并实现了多重竞争对手的技术的经济高效跟踪。