雪崩40纳米pMTJ STT-MRAM高级内存要点

产品代码
AME-2009-801
发布日期
05/02/2021
可用性
发表
产品项代码
REN-M30082040054X0IWAY
设备制造商
瑞萨
设备类型
MRAM.
订阅
内存 - 嵌入式及新兴
渠道
存储器 - 嵌入式&新兴流程
报告代码
AME-2009-801
高级存储器要点(AME)交付为ST-MRAM芯片包括简明分析师的摘要文件高亮观察到的临界尺寸和显着特点通过下面的图像文件夹的支持:
  • 下游产品拆除
  • 包X射线,顶部金属和多模芯片,模具功能的非侵入式光学照片
  • SEM通过逻辑存储器阵列和外围区域锥
  • 一般器件结构的SEM横截面,BEOL(金属,电介质)和FEOL结构
  • 通过MRAM单元的单个TEM横截面且正交于字线,示出MRAM单元,金属和电介质,单元晶体管的栅极堆叠,隔离等FEOL特征
TEM-EDS分析的结果包含在AME概要文件内。该AME交付及时提供有竞争力的基准信息,使整个的竞争对手广度技术创新的成本效益的跟踪。

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