英飞凌IMW65R107M1HXKSA1 650 V COOLSIC POWER ESSENTS总结

本报告介绍了英飞凌IMW65R107M1HXKSA1功率碳化硅（SIC）MOSFET的分析。IMW65R107M1HXKSA1是650 V冷却N沟道增强模式MOSFET，可与英飞凌开发的SIC技术一起使用的性能可靠性和易于使用的独特组合。该器件具有最大连续的S / D电流为20a和107mΩ的可导通电阻，专为不间断电源（UPS），太阳能光伏逆变器，太阳能收集和EV充电基础设施应用而设计。完整的PEF可交付的包括由以下未解除的图像文件夹支持的观察设备度量和突出功能的单页摘要：

• 包光学照片，包X射线图像，模具照片，模具功能的光学照片
• 扫描电子显微镜（SEM）平面图的设备延迟到栅极电平
• 探索性截面平面图 - 器件结构的SEM图像
• 掺杂剂结构的详细横截面扫描微波阻抗显微镜（SMIM）分析
• 用于标准功率要点项目的图像设置为SEM平面分析的延迟样本，是SEM结构分析的单个横截面的平面，以及用于详细结构分析的单个SMIM样本。值添加诸如额外的横截面的信息，可以根据具体情况包括在内
  

可交付的权力要素提供基本的竞争基准信息，并实现多个竞争对手技术的经济高效跟踪。