个人电脑曾经是动态随机存取存储器(DRAM)行业的主要驱动力;现在,这个领域的市场更加多样化,推动了创新。随着对更强大设备的需求不断增长,高容量处理器、半导体和芯片组的可用性也在不断提高。智能手机、平板电脑、数据中心、汽车应用,以及越来越多的物联网,以及人工智能和机器学习对高带宽内存的要求,都落后于创纪录的行业利润。

DRAM预计在2018年至2023年间复合年增长率为28.70%。韩国、台湾、日本和中国制造业的成功将亚洲定位为一个突出的DRAM市场。

With the DRAM market still booming, all the major DRAM players such as Samsung, SK Hynix, Micron and Nanya are eager to develop and release their next new successfully-scaled-down generation. The top 3 DRAM manufacturers have already jumped into the sub-20 nm technology node, by introducing offerings such as 1X nm in 2017 and 2018, like Samsung's 1X and 1Y LPDDR4X, DDR4 and GDDR6, and DRAM down-scaling will continue within a few years.

考虑到DRAM单元TR工程和电容器结构提供的进一步缩小到18或1a的能力有限,主要参与者可能会寻求采用新的技术创新,如柱形单元电容器、高k电容介质、用于埋置字线栅极的双功能层、低k介质间隔和气隙。

采用4F2单元设计的1T-DRAM或无电容DRAM产品可能暂时看不到,但我们最迟将在今年底或明年初看到DDR5、LPDDR5产品在商用市场上。HBM2(三星,SK-Hynix)和HMC2(微米)现在被广泛用于GPU(AMD,NVIDIA)。一些新的中国DRAM公司——包括UniIC和CXMT——已经向市场推出了他们的产品,我们很高兴能够分析三星的GDDR6

我们继续监控这一领域的创新,并调整我们的分析路线图,包括拆卸/成本、架构、设计、过程集成、功能测试、封装、结构、电路、晶体管特性和波形分析。

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一个成功的知识产权战略在这一领域需要在DRAM的破坏性事件的经济意义的认识,知识的关键和即将到来的市场参与者,并正确地应用逆向工程技术,以确定从一代到另一代的变化,最新的DRAM技术。乐动篮球快讯