发布日期：2019年6月7日
三星LPDDR4X 17 nm 1Y
三星DDR4 17纳米1Y
微米MT40A2G4SA-062E 8Gb DDR4
The top 3 DRAM manufacturers (Samsung, SK hynix, and Micron) reached sub-20 nm in 2017 and 2018 with the introduction of 1x. A new milestone was reached with the introduction of 1y by Samsung with their DDR4/LPDDR4X and Micron with their DDR4.
TechInsights最近一直在跟踪和分析几项1y纳米DRAM工艺节点创新。。。
三星
TechInsights对三星的解决方案进行了分析，该解决方案声称，这项创新“在保持4266兆比特每秒（Mb/s）的相同数据传输速率的同时，功率降低了10%。”
- 三星LPDDR4X 17 nm 1Y
- 三星DDR4 17纳米1Y
微米
我们实验室最近也收到了美光的MT40A2G4SA-062E 8Gb DDR4，我们正在对该部件进行检查。
SK海力士
我们继续关注第一批包含SK hynix1y的设备。
下载我们的DRAM分析概述，包括市场概述、DRAM技术路线图、带注释的模具图像，以及我们可以应用于这些产品的不同分析方法的概要。
三星、SK hynix和Micron的1y DRAM解决方案
下载our overview of 1y DRAM Analysis, with a market overview, DRAM technology roadmap, annotated die images, and an outline of the different analytical methods we can apply to these products.
