定制内存分析以满足您的需求

巨大的前期研发投资要求客户拥有最新、准确的竞争情报

Our analysis quantifies the unknown to help you make informed decisions. We can determine what it will cost to bring advanced memory to market, we research potential market challenges to help you determine what your risks are, and we help define your de-risking strategy.

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TechInsights Memory产品的开发是为了根据您的行业和角色提供您所需的重点技术情报。

DRAM功能分析(MFR)

DRAM功能分析(MFR)

包括:

  • 图像集支持的执行摘要
    • 工艺节点及铸造标识
    • 临界尺寸
    • 功能块摘要
    • 堆叠光学金属和多晶硅模具照片在CircuitVision中提供。包括校准测量和注释工具
    • 扫描电镜横截面和斜面成像
    • 13-15 reports/year

DRAM:SWD与感测放大器晶体管特性

DRAM:SWD与感测放大器晶体管特性

包括:

  • 晶体管特性报告(TCR)
    • Universal curves for IOFF vs. ION and IOFF vs. ID, LIN derived from
      • 5 NMOS and 5 PMOS sub wordline driver transistors, across multiple VDD at 85°C
      • 5个NMOS和5个PMOS感测放大器晶体管,在85°C下跨多个VDD
    • For each universal curve data point
      • Transistor Characteristics: ID,,我D,,我远离的,五T,&五T,,ΔVGS公司,克m, SS, DIBL
      • 输出特性
  • 分析覆盖率
    • 4份报告/年
    • 趋势分析
    • 4小时支持

DRAM Periphery Design (MDP)

DRAM外围设计(MDP):感测放大器,子字线驱动器

包括:

  • 关键设备指标的简明分析摘要
    • 感测放大器电路原理图
    • 子字线驱动器电路原理图
    • CircuitVision提供的延迟DRAM读出放大器和子字线驱动器的详细堆叠SEM图像。包括校准的测量和注释工具
    • ~4份报告/年

DRAM: Circuit Analysis

DRAM: Circuit Analysis

包括:

  • 全电路分析
    • 1-内存阵列和外围设备
    • 2-地址路径
    • 3-数据路径
    • 4-控制块、配置和测试块
    • 5-电压发生器系统
  • 分析覆盖率
    • 全2/年

NAND功能分析

NAND功能分析

包括:

  • 分析覆盖率
    • 图像集支持的执行摘要
      • 工艺节点及铸造标识
      • Critical Dimensions
      • 功能块摘要
      • CircutVision提供的堆叠光学顶部金属和多晶硅照片,包括校准的测量工具
      • SEM cross-sectional imaging
    • 13-15 reports/year

NAND外围设计(MDP)

NAND外围设计(MDP):页缓冲区,字线驱动程序

包括:

  • 关键设备指标的简明分析摘要
    • 页缓冲器电路原理图:解码器、开关和控制器
    • 字线驱动电路原理图:解码器和开关
    • CircuitVision提供的倾斜NAND页缓冲区和字线驱动程序的详细堆叠平面图SEM图像。CircuitVision包括校准的测量和注释工具
    • ~4份报告/年

NAND:电路分析

NAND:电路分析

包括:

  • 全电路分析
    • 1-内存阵列和外围设备
    • 2-地址路径
    • 3-数据路径
    • 4-控制块、配置和测试块
    • 5-电压发生器系统
  • 分析覆盖率
    • 全2/年

NAND内部波形分析

NAND内部波形分析

此通道检查在程序、读取和擦除周期中NAND存储单元上使用的波形。

  • 在12个月的时间内提交8份报告以及一次在线研讨会
  • 提供波形摘要PDF和原始波形.sht文件,使客户能够执行进一步的分析和测量

先进工艺

先进工艺

包括:

  • 高级内存要素(AME)
    • 专注于领先的NAND和DRAM存储技术
    • 由大型图像集支持的执行摘要
    • 扫描电镜横截面和斜面成像
    • TEM-EDS横截面分析
    • 8份报告/年
  • 分析覆盖率
    • 按技术要素列出的技术趋势/路线图
    • 设计技术交互分析
    • 过程集成的详细说明
    • 下一节点预测
    • 3次简报/年
    • Trend analysis
    • 预测
    • 1次年度研讨会
    • 4小时支持

工艺流程

工艺流程

*需要高级进程订阅
包括:

  • 工艺流程分析(PFA)
    • 显示流程、体系结构、掩码列表和集成级流程步骤的电子表格
    • 8内存/年
  • 工艺流程全仿真(PFF)
    • PFA内容可能会更新
    • Layout GDS fully decomposed into process layers
    • 3D Emulation
    • Synopsys输入(路由层甲板)*
      *需要Synopsys许可证才能查看和修改
    • 6内存/年
  • 分析覆盖率
    • 单元设计技术交互分析
    • 从晶圆输入到晶圆输出的过程集成的详细说明
    • 工艺步骤、材料、设备类型、单元工艺
    • SEM和TEM横截面和顶视图图像
    • 图层注释、特定流程模块、假设
    • Trend analysis
    • +4 hrs support

嵌入式和新兴功能分析(MFR)

嵌入式和新兴功能分析(MFR)

包括:

  • 分析覆盖率
    • 专注于前沿的嵌入式和新兴存储技术
    • 图像集支持的执行摘要
    • 工艺节点及铸造标识
    • Critical Dimensions
    • 功能块摘要
    • CircuitVision中提供的堆叠光学顶部金属和多晶硅照片商标
    • 扫描电镜斜面
    • SEM cross-sectional imaging
    • 4份报告/年

嵌入式和新兴流程分析

嵌入式和新兴流程分析

包括:

  • 分析覆盖率
    • 专注于前沿嵌入式和新兴内存
    • 由大型图像集支持的执行摘要
    • 扫描电镜横截面和斜面成像
    • TEM-EDS横截面
    • 按技术要素列出的技术趋势/路线图
    • 设计技术交互分析
    • 过程集成的详细说明
    • 下一节点预测
    • 4份报告/年
  • 趋势分析-1次简报/年
  • 预测
  • 问答

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