三星12GB D1Z LPDDR5采用EUV光刻应用

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博客细节2021年2月17日博客细节NAND & DRAM存储技术下载简报

三星12GB D1Z LPDDR5采用EUV光刻应用

经过几个月的等待,我们已经看到三星电子应用极端紫外(EUV)光刻技术,用于大规模生产的D1Z DRAM。这是他们DRAM内存技术的乐器变更,它在其最新的手机型号中找到,包括三星Galaxy S21 5G系列;S21 5G,S21 + 5G和S21 Ultra 5G在1月2021年1月释放。EUV光刻在缩放和加速生产中显示了制造优势,以及性能收益率。

我们在三星Galaxy S21 5G系列中发现了D1Z 12 GB和D1Z 16GB LPDDR5芯片;S21 5G,S21 + 5G和S21 Ultra 5G刚刚在1月2021年发布。12 GB LPDDR5芯片用于三星Galaxy S21超5G 5G SM-G998B / DS 12GB RAM,而16 GB LPDDR5芯片用于S21 5G和S21 + 5G 8 GB随机存取存储器组件。

三星D1z 12 GB LPDDR5 DRAM DRAM生成中使用的极端紫外(EUV)光刻工艺已展现出15%的制造生产率与之前的D1Y 12 GB版本相比较高。D / R(设计规则)从17.1nm(d1y)降至15.7nm(d1z)。12 GB模具尺寸也降至43.98毫米2(D1z)从53.53毫米2(D1Y),导致较小的芯片尺寸,大约18%从以前的版本缩小。

细节
项目 三星LPDDR5芯片
内存容量 8 GB. 12 Gb 12 Gb 16 GB
技术节点 D1y D1y D1z D1z
父产品示例 小米MI 10. 小米MI 10. 三星Galaxy
S21 Ultra 5G.
三星Galaxy
S21 / S21 + 5G
DRAM组件示例 K3LK3K30EM-BGCN. K3LK4K40BM-BGCN. K3LK4K40CM-BGCP K3LK7K70BM-BGCP.
芯片尺寸 39.12毫米2 53.53毫米2 43.98毫米2 61.20毫米2
位张力(死) 0.205 Gb /毫米2 0.224 GB / mm2 0.273 Gb /毫米2 0.261 GB / mm2
细胞大小 0.00231μm.2 0.00231μm.2 0.00197µm2 0.00197µm2
D / R 17.1 nm. 17.1 nm. 15.7 nm. 15.7 nm.
EUV光刻应用 没有 没有 是(BLP) 没有

Samsung D1Y和D1Z LPDDR5芯片的DRAM规格比较,8 GB,12 GB和16 GB

三星使用最先进的D1Z技术与EUV光刻一起用12 GB模具用K4L2E165YC模具标记,而D1Z 16 GB LPDDR5 DRAM芯片具有K4L6E165YB模具标记显示非EUV光刻模具。最初用ARF-1(氩氟激光(ARF)浸没)和EUV(极端紫外线)光刻开发D1Z LPDDR5产品。现在,它们使用EUV SNLP(存储节点着陆垫)和BLP(位线焊盘)光刻生产所有D1Z LPDDR5产品。他们在DRAM行业和全球市场中应用了HVM(大批量制造)产品,尽管三星发布了1M的样本模块,其在2019年底应用了D1x EUV光刻。

Micron D1Z LPDDR4与三星D1Z LPDDR5芯片的竞争力DRAM规范比较

制造商追求的竞争指标是更高的钻头密度,更小的模具尺寸,先进的技术节点。通过使用D1z技术节点的EUV,与业内同行美光相比,三星取得了领先的指标,如下表所示:

设备 微米D1z 三星D1Z. 三星D1Z.
内存容量 16 GB 12 Gb 16 GB
技术节点 D1z D1z D1z
父产品示例 MT53E1G32D2NP-046_WT:A(LPDDR4) K3LK4K40CM-BGCP(LPDDR5) K3LK7K70BM-BGCP(LPDDR5)
芯片尺寸 68.34毫米2 43.98毫米2 61.20毫米2
位张力(死) 0.234 Gb /毫米2 0.273 Gb /毫米2 0.261 GB / mm2
细胞大小 0.00204μm2 0.00197µm2 0.00197µm2
D / R 15.9纳米 15.7 nm. 15.7 nm.
EUV光刻应用 没有 是(BLP) 没有

D1z DRAM产品比较微米与三星

*与微米D1z细胞设计相比,三星进一步降低了电池尺寸(三星0.00197μm20.00204 μ m2)和D / R(三星15.7nm与微米15.9 nm)。


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